市場消息傳出，三星電子 1d DRAM（第七代 10 奈米級製程）良率未達內部目標，恐將無限期延後用於下一代 HBM 記憶體的量產計畫。
據韓媒 IT Chosun 報導，三星在獲得試產前批准（PRA）後，於今年第一季開始進行 10 奈米製程 1d DRAM （簡稱 D1d）試產，但因良率不如預期，三星可能暫停推進量產下一代 HBM。
三星內部人士透露，計劃在 D1d 良率達標前，無限期延後量產，目前尚未確定恢復時間，「他們正專注於全面檢視製程路線圖，以進一步提升良率」。另一方面，三星高層也對 D1d 晶片的良率和投資回報進行評估，最終確認目前不適合量產，也不強行推進生產線運作。
D1d DRAM 技術將未來 HBM 藍圖扮演關鍵角色，預計應用於三星第九代 HBM 產品 HBM5E。
目前 1c DRAM 已應用於三個世代的 HBM 產品，包括 HBM4、HBM4E 與 HBM5，但從 HBM5E 開始，穩定的 D1d 供應至關重要。其中，HBM4 預計今年稍晚時推出，並搭載於 NVIDIA 的 Vera Rubin 與 AMD 的 MI400 平台；HBM4E 則預期應用於 Rubin Ultra 與 MI500 加速器。至於 HBM5 及客製化設計，則可能導入 NVIDIA Feynman 系列及其他競品方案。
報導指出，由於量產計畫落空，為該計畫特派的約 400 名人員組成的 D1d 量產工作小組實際已處於閒置狀態。但由於尚未獲得產品驗收批准，關鍵工程師目前僅在研發階段進行資訊交流。
與此同時，三星也加大投資，在韓國溫陽（Onyang）建設一座大型晶圓廠，規模相當於四個足球場，將用於生產包括 HBM 在內的下一代 DRAM 產品。該設施將負責封裝、測試、物流與品質控制等關鍵環節，以支撐穩定量產。
隨著開發加速與產能擴張，三星也將與 SK 海力士展開更激烈競爭，後者已在 D1d DRAM 技術上取得良率突破。
由 科技新報 轉載