半導體記憶體產業迎來新一輪技術與地緣角力，兆捷科技董事長高啟全表示，外界傳言台積電擬跨足記憶體製造或開發 3D DRAM 一事，高啟全直言技術隔行如隔山，台積電絕不會跨入 DRAM 製造。同時，他警示中國長鑫存儲正大舉興建 10 座晶圓廠，龐大產能預計將在兩年內全面釋出，屆時恐引爆全球供給過剩危機，使台灣記憶體廠商承受巨大的競爭壓力。
針對市場盛傳台積電可能因應先進封裝與異質整合需求跨入 DRAM 領域，高啟全對此明確駁斥，表示邏輯代工與記憶體製程技術與經驗完全不同。他回顧早年世界先進曾嘗試跨入記憶體領域，最終以失敗告終並踩下煞車轉回代工，因此台積電不可能再回頭跨入 DRAM 製造。
另外，近期產業界熱烈討論的 3D DRAM 與 4F² 微縮架構，高啟全指出，目前 DRAM 僅能推進至 6F²，尚未有廠商成功實現 4F²。由於 DRAM 結構為一個電晶體搭配一個電容，多出電容的物理限制讓面積極難縮小，更面臨嚴重的漏電技術障礙。相較於快閃記憶體（Flash）因無電容結構可微縮至 4F²，DRAM 的 3D 堆疊在技術上極難成真。高啟全強調，目前連三星與美光等記憶體巨頭都尚未做出來，中國廠商雖高調宣傳，但即使傾國家力量不計成本投入，短期內也難以突破。
在 NAND Flash 領域，產業競爭格局則大不相同。高啟全指出，由他早年親自帶領團隊起步的長江存儲，其快閃記憶體技術已具備全球領先實力，甚至將專利授權（patent license）給三星與美光。相較於邏輯晶片代工因缺乏極紫外光（EUV）微影設備而落後，中國在 Flash 記憶體領域具備領先優勢，且具備龐大的資本募集能力，值得業界高度警戒。
談及產能擴張，高啟全指出長鑫存儲已在北京、上海等地大舉擴建 10 座晶圓廠，擴產規模極為龐大。針對台灣部分業者認為「中國產能僅供內需，不致影響全球市場」的樂觀看法，他直言這只是當前市況良好下的短期表象。長鑫的龐大產能預計在兩年內全面開出，即便因缺乏 EUV 設備而使用成熟製程，其驚人產能一旦大量傾瀉，市場仍將陷入嚴重的供給過剩。
高啟全最後示警，台灣記憶體廠擴產腳步遠遠落後，技術與市占率亦不如對手。一旦市場短缺，國際終端客戶（如蘋果）仍會向中國採購，美國政府也難以全面阻絕。兩年後隨著中國產能全面爆發，中國市場的激烈競爭將外溢，首當其衝受到衝擊的正是台灣記憶體產業。
由 科技新報 轉載