韓國《首爾經濟日報》18 日報導，三星電子將採用台積電 3 奈米製程，為輝達（Nvidia）下代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片製造基礎晶粒（base die）。
《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）報導，此舉將是三星電子（Samsung Electronics）首次HBM製造階段與台積電合作。其引述產業消息人士，輝達已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）NVHBM基礎晶粒採用台積電製程，並核心晶粒採第六代DRAM技術。
根據輝達，8月發表NVHBM將輝達客製化記憶體控制器整合進基礎晶粒，旨在統一多家記憶體供應商的實作方式。三星經內部審查後同意輝達的要求，但仍計劃以自有製造模式生產標準HBM，以及為其他客戶量身打造的產品。
《首爾經濟日報》引述一位不具名消息人士指出，三星也在評估，若需求超出台積電產能，是否可由自家晶圓代工部門生產NVHBM基礎晶粒。
由 科技新報 轉載