根據路透社引述知情人士報導，中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）正計劃將業務拓展至用於固態硬碟（SSD）的 NAND 快閃記憶體領域。
報導指出，長鑫存儲計劃在北京附近的第二座製造工廠興建NAND研發生產線，並已在北京成立專注於NAND技術開發的研究院。此外，公司已與包含一家AI初創企業在內的潛在客戶展開初步討論。
DRAM提供高速但揮發性的執行記憶體，而NAND則用於斷電後保存資料，是SSD等儲存裝置的技術基礎。長鑫存儲若要順利跨足NAND，需要全新開發製程、晶胞結構、控制器或建立合作夥伴關係，並通過儲存設備製造商的產品驗證。
長鑫存儲此一佈局將使其與中國既有的NAND製造商長江存儲（YMTC）展開直接競爭，同時也將面臨三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等國際大廠的挑戰。新供應者的加入長遠來看能促進供應多元化，但研發線距離推出具市場競爭力的商業化SSD產品仍有相當距離，未來仍需在生產規模、耐久度、儲存密度與良率上進行驗證。
目前全球記憶體市場受到AI基礎設施需求大增影響，DRAM與NAND的產能與投資均持續吃緊。由於NAND晶圓廠需要龐大資金投入，且產品驗證過程動輒耗時數年，該計畫對短期SSD價格的影響仍存在不確定性。從潛在客戶包含AI新創公司來看，長鑫存儲初期鎖定的市場可能偏向資料中心或高容量儲存，而非消費級SSD。目前長鑫存儲尚未公開證實相關計畫，亦未公布具體量產時程或技術路線圖。
由 科技新報 轉載