儲存型快閃記憶體（NAND Flash）控制IC大廠慧榮總經理苟嘉章昨（13）日表示，記憶體缺貨短期難解，明年供不應求態勢會更嚴重，以NAND晶片來看，近半年多來，「存儲容量愈低，報價漲幅愈高」，甚至部分容量暴漲15倍，預期接下來還會再漲。
慧榮是全台唯一在美國掛牌的記憶體廠，與三星等大廠往來密切，苟嘉章的談話極具指標性。法人指出，NAND晶片價格勁揚，且容量愈低漲愈兇，台廠中，旺宏（2337）、華邦都在低容量NAND晶片著墨多年，將搭上這波低容量NAND晶片價格暴漲商機，獲利可望跟著水漲船高。
華邦、旺宏同步看好NAND產品線後市。華邦先前提到，現階段DDR4供給缺口仍相當大，SLC NAND晶片缺口更明顯，價格漲幅可能高於DRAM。旺宏則受惠當前市場產能排擠效應，帶動NAND晶片供不應求大漲價，其中，eMMC漲幅尤為明顯，成為推升旺宏營收與獲利重要動能。
另一方面，全球前三大NAND晶片廠日商鎧俠通知客戶將全面停產平面（2D）NAND晶片，涵蓋浮柵式（Floating Gate）架構與64層BiCS3產品線，客戶需在今年9月30日前完成最後下單，後續也將為旺宏、華邦帶來轉單效應。
業界指出，2D NAND晶片廣泛應用於車載、消費性電子、嵌入式設備、工業工控與眾多長生命周期終端產品，市場需求仍大，台廠中，華邦NAND產品以浮柵式架構為主，成鎧俠退場大贏家，承接最多轉單；旺宏也布局多年，同步受惠。
慧榮昨日舉行台北企業總部新建工程動土典禮，苟嘉章受訪提到，今年來AI產業發展進入關鍵轉折，從過去以訓練為主，轉向推論應用全面落地，帶動資料中心、企業端與各類裝置對儲存需求同步爆發，規模前所未見。
苟嘉章直言，目前市場缺口相當明顯，供給仍難以跟上，導致NAND晶片暴漲，從去年8月至今年3月，短短半年多來，NAND晶片價格漲幅高達四倍至十倍不等，部分低容量的產品更飆漲15倍，在需求持續強勁推動下，2027年供需缺口可能進一步擴大，即便新產能陸續開出，也僅能「緩解而非解決缺貨問題」。
苟嘉章認為，AI推論（Inference）需求全面爆發帶動下，全球記憶體市場正出現結構性轉變，導致NAND晶片與DRAM供給長期吃緊，缺貨情況將一路延續，短期難以緩解，明年缺貨會比今年更嚴重。
談到供給端，苟嘉章指出，不論NAND晶片或DRAM廠商擴產，都會面臨高資本門檻與長時間建置周期，以DRAM為例，新增1萬片DDR5產能動輒需投入百億美元，且大廠相關先進製程資源都優先投入高毛利的高頻寬記憶體（HBM），進一步壓縮一般記憶體供給。
至於NAND晶片廠雖已啟動擴產，但今年整體產能增幅僅約15%至25%，遠不及AI帶動的需求成長幅度。
由 經濟日報 轉載