隨著人工智慧（AI）應用的快速擴展，全球記憶體產業正邁入龐大的上升超級週期。韓國媒體最新報導指出，高頻寬記憶體（HBM）市場競爭格局出現轉變，一年前在 HBM 領域處於落後形勢的三星（Samsung），如今展現出強勁的定價主導權。三星的 HBM 報價不僅超越競爭對手美光（Micron）與 SK 海力士（SK Hynix），溢價幅度更最高達 25%。
根據韓國媒體透露，三星目前給出的 HBM 報價約為每單位 4.50 美元，顯著高於美光的 4.00 美元以及 SK 海力士的3.60 至 3.80 美元。也因為這一原因，在28日SK海力士公布史上最佳2026年第三季的財報後，三星的股價漲幅要大於SK海力士，。
業界分析指出，三星能夠取得高額溢價的核心原因並非產品效能，而是供貨能力。由於資料中心客戶極度重視供應商能否按時交付大規模且穩定的產能，因此願意支付額外費用以確保供應無虞。這代表三星已從一年前的 HBM 落後者，順利轉型為擁有強大定價權的市場領先者。
報導指出，本輪記憶體超級週期尚處於早期階段，每一波 AI 技術革新均在創造全新的記憶體需求層級：
GPU 記憶體容量大幅提升：輝達（Nvidia）從 H100 演進至 B300 晶片，單顆 GPU 所需的 HBM 容量已成長3.6 倍。
伺服器記憶體翻倍：隨著推論與推理工作負載日益複雜，未來三年內每台伺服器的記憶體容量預計將翻倍。
代理型 AI 與自動駕駛推升需求：邁向代理型 AI（Agentic AI）使 AI 上下文長度每年成長約 30 倍；而自動駕駛汽車所需的 DRAM 容量，更可能達到現今先進車輛的10 倍以上。
此外，記憶體需求已不單純由大模型訓練所驅動，模型的推理、上下文儲存、複雜推理任務以及 AI 代理間的互動均需大量記憶體。當 AI 拓展至機器人、自駕車與實體裝置時，將開啟全新的記憶體消耗領域。
在供給端，與以往循環不同，記憶體產能無法在短時間內迅速擴大。新建半導體晶圓廠需耗時數年，且製造商正將更多產能投向 HBM 等高複雜度、高價值的產品。市場大廠如美光不僅受惠於 HBM，亦全面覆蓋伺服器 DRAM、LPDDR 及 NAND 儲存等整體記憶體層級。鑑於供需緊張與建廠時程，投資人可能普遍低估了此輪記憶體上升週期的持續時間。
由 科技新報 轉載