全球記憶體半導體業界為因應人工智慧（AI）熱潮，正將生產量能全面集中於高頻寬記憶體（HBM）與先進的 3D NAND 快閃記憶體，導致 2D NAND 等傳統舊型產品的供應基礎逐漸崩潰。根據韓國媒體報導，隨著三星電子與鎧俠相繼關閉獲利較低的舊製程產線，加上美光也宣布退出做為通用產品核心的消費者業務，使得高度依賴長期穩定性的車用電子與工業設備等市場，正面臨日益惡化的供需失衡危機。
朝鮮日報報導，半導體業界表示，三星電子已從 2026 年 3 月起逐步停止華城廠區 12 線的 2D NAND 生產，並著手將該設施轉換為生產先進 1c DRAM 的工廠。這座每月具備 8 萬至 10 萬片晶圓產能的三星最後 2D NAND 生產基地關門，宣告了自 2002 年以全球首款 1Gb 產品量產為開端的三星 2D NAND 時代，在歷經 24 年後正式畫下句點。
不僅如此，三星決策更與曾主導市場的 MLC（Multi-Level Cell）NAND 產品停產息息相關。三星已向客戶發布 MLC NAND 的停產通知，預計在 2026 年 6 月進行最後一次出貨後，將全面停止供應。MLC 技術雖然容量不如較新的 TLC 或 QLC，但數據保存力與耐用性極佳，過去一直是要求 10 年以上無故障運作的醫療設備與工業機器人市場中的必要零件，如今卻因獲利能力不佳而面臨退場命運。
鎧俠也展開脫離舊型記憶體市場的步伐。鎧俠於 2026 年 3 月通知客戶，將逐步撤出 2D NAND 與第三代 BiCS Flash 產品市場，計畫於 2026 年 9 月底前接收最後訂單，並於 2028 年 12 月完成最終出貨，預計 2029 年完全退出該領域。此外，鎧俠同步停產舊型 TSOP 封裝產品，預期低容量 NAND 的供需將變得更加吃緊。
至於美光則在僅維持現有客戶基本需求的同時，宣布終止旗下消費性品牌「Crucial」的業務，將舊製程晶圓產能全面轉向AI資料中心所需的先進記憶體，這些計畫都讓低容量通用NAND的供應短缺問題雪上加霜。
目前最大問題在於，主要大廠撤出速度遠超過技術轉換腳步。市場調查機構 TrendForce 預測，2026 年全球 MLC NAND 產能將比 2025 年大幅驟減 41.7%。雪上加霜的是，三星與美光出售舊設備時，拒絕授權核心 MLC 技術，導致新進業者極難填補空缺。
供應極度匱乏下，近期部分 SLC 與 MLC 產品價格一個月內出現雙位數漲幅，MLC 64Gb 現貨價格更從 2025 年底約 6 美元狂飆至 20~28 美元，漲幅高達 300%，出現極端的恐慌性囤貨現象。
市場人士警告，資源過度集中 AI 高附加價值記憶體，正在摧毀實體產業基礎的傳統記憶體市場。這波供應斷崖所引發的記憶體通膨骨牌效應，將使家電與車商成本負擔及供應鏈風險，一路加劇至 2027~2028 年。
由 科技新報 轉載