南韓科技媒體《THE ELEC》5 日報導，中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）最新產品資訊顯示已推進至 12 至 13 奈米，即使缺乏極紫外光（EUV）微影設備，仍可利用深紫外光（DUV）雙重或四重曝光技術微縮。若其公布資訊屬實，相當於再跳過一至兩個製程世代。
隨著中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）與三星電子（Samsung Electronics Co.）、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）的 DRAM 技術差距快速縮小，科技市調機構 TechInsights 認為，中國業者已不能再被視為「跟隨者」，而是直接競爭者。儘管 CXMT 同步擴產可能增加中長期供給競爭，但 AI 需求急升，目前記憶體供給僅能滿足約 85% 需求，高檔價格環境預料仍可延續 3 至 4 年。
CXMT 製程推進至 12 奈米級，TechInsights：已具直接競爭力
南韓科技媒體《THE ELEC》5 日報導，TechInsights 半導體事業部資深副總裁 Jeongdong Choe 受訪時指出，CXMT 近期宣布量產第五代 G5 DRAM 製程平台，主動區（Active Area）半間距（half-pitch）縮至 11.95 奈米。
CXMT 原先內部藍圖將 G5 設定為 14 奈米級，但最新產品資訊顯示已推進至 12 至 13 奈米，即使缺乏極紫外光（EUV）微影設備，仍可利用深紫外光（DUV）雙重（double-patterning）或四重曝光（quadruple-patterning）技術微縮。若 CXMT 公布資訊屬實，相當於再跳過一至兩個製程世代。
Choe 表示，若只看技術、不考慮經濟效益或良率，中國記憶體廠已是競爭者而非追隨者。CXMT 並計畫將市占率由 12% 至 13% 提高至 20% 至 25%，在上海、北京規劃多座晶圓廠。
AI 記憶體需求暴增，價格未來 3 至 4 年可能仍偏高
不過短期市場仍供不應求。Choe 估計，目前 DRAM 供給短缺約 10% 至 12%，NAND 也面臨類似缺口，DDR、LPDDR 及 HBM 等應用價格已上漲逾 80%。
他指出，新產能預計明（2027）年下半年開始影響供給，至第三或第四季，供給可望提高至需求的 90% 至 95%。考量市場要達到供需平衡，通常需要供給比需求高出 2% 至 3%，因此記憶體市場很可能仍將維持由賣方主導的格局。
Choe 指出，「供給達到需求的 100%，嚴格來說仍屬供應吃緊；真正達到供需平衡，供給必須達到需求的 102% 至 103%。然而，關鍵問題在於，供應商未來 2 至 3 年內是否連需求的 100% 都能滿足。」
他說，AI 記憶體需求，尤其是高頻寬記憶體 HBM，並非呈線性成長，而是呈指數級攀升。相較於過去每年約 1.2 倍至 1.4 倍的成長幅度，短期需求正暴增至 4 倍至 6 倍。「面對如此巨大的需求結構轉變，每家公司僅新增一、兩座晶圓廠，將不足以滿足需求。」
Choe 預期，未來 3 至 4 年價格雖可能波動，但整體水準仍將明顯高於過去。正在興建的晶圓廠約一年後開始貢獻產能，屆時價格可能小幅回檔，但由於基準價格仍處高檔，產業獲利可望維持穩健。
由 MoneyDJ理財網 轉載