中國最大 DRAM 製造商長鑫存儲（CXMT）20 日正式宣布，第五代 DRAM 技術平台進入量產，同步展出以此技術平台為基礎打造的大容量 LPDDR5X 新品。新平台將儲存資料的微小結構排列得更緊密，讓單一晶片能容納更多記憶體容量，並使每片矽晶圓能產出更多獨立晶片。
第五代技術平台將晶片儲存資料部分的關鍵特徵間距縮減至 11.95 奈米，長鑫存儲透過四重曝光技術達成此一目標，這是一種重複多個製造步驟以產生更精細電路圖案的製程。長鑫存儲開發出符合 DRAM 製程的高介電金屬閘極（HKMG）製程，成功將第五代技術平台核心功能區高度縮小至 6,762 奈米。
長鑫存儲指出，若以 8GB 晶片為基準，第五代技術平台每片晶圓產出裸片數量，比第四代技術平台提升至少 50%。這項數據衡量的是排除瑕疵品前，每片晶圓預期可產出的晶片數量，而非通過最終測試的成品比例。
長鑫存儲為第五代技術平台創造了獨特的數位孿生系統，貫穿包括設計、開發、製造、維護等產品研發過程，並與中國晶片設備廠商針對關鍵生產步驟合作開發而成。
長鑫存儲同步發表 2 款採用第五代技術平台生產的 24GB LPDDR5X 產品，資料容量較上一代同類型產品提升 50%。這 2 款分別採用 496Ball、245Ball 封裝規格，以符合中高階智慧手機及其他消費性電子等產品需求，目前均已進入規模量產階段。
自 2022 年以來，美國的出口管制已限制中國取得特定的先進晶片製造設備以及相關軟體。長鑫存儲這項對外宣稱的技術和產品突破，可能有助於中國在全球記憶體市場中，建立起足以與三星、SK 海力士及美光抗衡的競爭實力。
由 科技新報 轉載