TrendForce 最新記憶體產業研究，2027 年記憶體需求繼續由 AI 應用主導，DRAM 因 HBM 持續排擠產能、AI 伺服器需求強勁，CPU 記憶體與 HBM 採購動能持續增加，維持供給緊張格局，價格走勢偏強。NAND Flash 新產能集中釋放、終端消費需求持續走弱，2027 下半年供給將趨寬鬆，價格恐面臨修正壓力。
DRAM供給成長增速不及需求提升速度
TrendForce表示，為因應AI基礎建設擴張的中長期需求，各大DRAM原廠已提早啟動產能擴充計畫。短期內， 供應商積極提高既有廠區產能，同時加速製程升級、 降低產品轉換頻率，以支撐2026年整體位元供給擴張。
2027年儘管有數家供應商規劃新產能陸續投產，但受限於廠時程、設備移機、原物料等前置作業約束， 多數新廠投片放量落於2027下半年，考量生產週期， 大幅產出貢獻則於2028年發酵。此外，HBM製造所需晶圓投入遠高於一般型DRAM（conventional DRAM），導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。上述因素將限制2027年整體DRAM位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。
從需求面觀察，受惠北美雲端服務供應商（CSP）持續提高資本支出，英特爾、AMD新世代CPU平台加速出貨，以及代理AI逐步商業化，2027年全球伺服器出貨量年增幅度將較2026年17%擴大。加上單機HBM搭載容量成長、SOCAMM等新規格導入，拉升單機記憶體容量，有助2027年DRAM需求位元成長維持高檔。反觀智慧手機、筆電等消費型終端，因品牌廠轉嫁零組件成本效應加深，導致整機售價上調、衝擊消費者換機意願，2027年出貨表現將維持衰退。
TrendForce指出，2026年DRAM供應與需求位元的差距（sufficiency ratio）落在-1%~-2%， 2027年由於需求增速超越供給成長，供需缺口將進一步擴大。若今年主要CSP資本支出維持歷史高點， 甚至部分業者現金流會出現負值。2027年記憶體價格若仍處於高檔，整體CSP資本支出占比將會上升。 以上情況會否影響2027年CSP資本支出的規劃乃至於記憶體購入，仍待觀察。
NAND Flash產能提高促供需結構反轉
2026年NAND Flash原廠主要透過製程升級增加位元供給，由於AI伺服器、高容量企業級SSD需求旺盛，供應商持續提高供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。2027年各大廠加速轉進至高層數產品與新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度將超越2026年，市場產出規模明顯擴張。
需求面，伺服器部署需求穩健，CSP與企業客戶對高速大容量企業級SSD的採購力道強勁，以QLC SSD最甚，將成為支撐2027年NAND Flash位元需求增長的主力。消費性電子則因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。
2027年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱，市場供需將迎來結構性反轉，TrendForce已先提出2027年sufficie ncy ratio將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。然若代理AI普及取得突破性進展，能再拉抬高速SSD需求，使整體供需趨近平衡。
由 科技新報 轉載