三星正積極準備下一代 1d DRAM 製程技術，預計最快 2027 年底進入量產階段，這是三星繼 1c DRAM 之後下一代記憶體製程，相當於美光（Micron）1-delta 節點。
AI 時代來臨，記憶體重要性已從「配角」變成核心瓶頸之一，高階 AI GPU 對高頻寬記憶體（HBM） 的規格要求持續推升。
目前三星最新 DRAM 晶片透過 1c DRAM 技術製造，高度依賴 EUV 微影與金屬閘極，同時也已應用在 HBM4 高頻寬記憶體，主打 AI/HPC 高頻寬記憶體市場。
與現行 1c DRAM 不同，1d DRAM 將採取電容垂直堆疊全新結構，也是 DRAM 製程史上首次從水平排列轉向垂直整合的重大轉變，有望進一步提升單位面積儲存密度與功率效率，對未來 AI 訓練與推理所需的高頻寬、低功耗記憶體而言是關鍵。
此外，1d DRAM 還將使用雙晶圓接合技術，記憶體陣列與周邊控制電路分開在不同晶圓再整合，以提升製程彈性與效能。
根據韓媒引述業界人士消息，2027 年第二季前三星計畫將 1d 專用設備導入產線，若研發與設備調校順利，有望 2027 年底啟動量產。
1d 製程將成下一世代技術分水嶺，三星能否如期在 2027 年推進 1d DRAM 量產，將直接影響該公司在 HBM5E 市場競爭地位。
由 科技新報 轉載