近年 AI 市場需求暴增，記憶體市場出現劇烈波動。前三星半導體（DS）部門總裁、現任顧問的慶桂顯（Kye-hyun Kyung）認為，隨著中國大舉擴充 DRAM 產能，記憶體價格可能在明年下半年開始回落，甚至終結 DDR5 過去一年高達 414% 的價格漲幅。
慶桂顯表示，中國大規模投資記憶體產業，將成為未來價格回落的重要因素。韓國必須進一步擴大在全球無晶圓廠（Fabless）市場的影響力，才能持續與美國與中國競爭。
由於記憶體廠將部分產能轉向 HBM 生產，也連帶影響其他 DRAM 產品供應，包括 DDR5 在內的主流記憶體價格同步暴漲。截至今年 5 月，德國市場 DDR5 記憶體價格較 2025 年 7 月已暴漲高達 414%。
同時，記憶體價格衝擊也蔓延至個人電腦市場，包括蘋果與 Dell 等業者提前下單以應對高價對市場的影響，促使出貨量進一步提升。
不過，在這波漲勢之中，慶桂顯認為記憶體價格將從明年下半年開始回跌。他在韓國工程院（NAEK）第 285 屆論壇中表示，中國企業目前正積極擴充記憶體晶片產能，若這些投資順利轉化為實際產出，未來供給大幅增加後，市場價格可能於一年後、也就是明年下半年開始反轉下滑。
慶桂顯也引用市調機構數據指出，到 2027 年下半年，全球記憶體產能可能達到每月 600 萬片晶圓規模。他也警告，若大型科技公司發現 AI 資本支出的投資報酬率開始下降，相關擴產投資可能同步放緩，進而影響後續供給成長。這也意味著，除了記憶體價格下滑外，2028 年後記憶體需求本身也可能下降。
從目前進度來看，中國多間記憶體大廠都投入巨額資金進行在地化生產線的佈局。例如，中國 DRAM 龍頭長鑫存儲近期加速 DDR5 量產步伐，該公司發布速率達 8,000 MT/s 的 DDR5 記憶體產品，並進入嘉合勁威、光威、金百達等中國模組廠商供應鏈；中國 NAND 大廠長江存儲也開始投產，尤其三期產線中國產設備採購占比已首度突破 50％，顯示中國本土半導體設備與材料導入速度明顯加快。
今年初也有媒體報導，福建晉華計畫將 19 奈米等級 DRAM 產能，於 2026 年擴充至每月 6 萬片晶圓，有望紓解 DDR4 供給壓力。
中國記憶體大廠嘉合勁威（Jiahe Jinwei）日前宣布，其神可（SINKER）品牌 DDR5 伺服器記憶體模組正式進入量產交付階段，目前產線可滿足大客戶批量備貨和項目定點交付需求；科美等其他中國國內廠商也基於長鑫記憶體晶片發布面向工業與企業級應用的 DDR5 產品，都顯示中國積極佈局記憶體在地化的雄心。
業界人士分析，目前 DRAM 在 2027 年仍是供不應求的狀況，目前短期價格仍持續看漲。
根據研調機構 TrendForce 最新記憶體價格調查，2026 年第二季因 DRAM 原廠積極將產能轉向 HBM、伺服器應用，並採「補漲」策略拉近各類產品價差，儘管終端市場面臨出貨下修風險，預估整體一般型 DRAM（conventional DRAM）合約價格仍將季增 58-63%；NAND Flash 市場持續由 AI、資料中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，預計第二季整體合約價格將季增 70-75%。
由 科技新報 轉載