新聞 : 狠甩 SK 海力士、美光！三星 10 奈米 DRAM 量產，記憶體脫離 20 奈米世代

相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 奈米製程轉換，
在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的三星，
現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。

三星在 5 日宣布量產 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM，搶先 DRAM 大廠推出 10 奈米製程產品。
三星指出，新的 10 奈米 8Gb DDR4 資料傳輸率可達 3,200  Mbps，
較上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%；並較 20 奈米相同產品省下 10~20% 的電力，

這對於高效能運算（HPC）、資料中心或大型企業網絡而言，有一定的吸引力，
除了 PC 以外，三星加速搶攻 IT 設備市場的企圖明顯，
10 奈米產品線涵蓋 4GB PC 模組，到 128 GB 企業用伺服器，預估年底將大量供貨。
而三星也預告，今年稍晚將會推出 10 奈米製程 mobile DRAM，進入 ultra-HD 智慧手機時代。

當製程轉進 10 奈米，微縮更加不易，不過，三星這次還是用 ArF 浸潤式微影技術，
還未用到被視為 10 奈米以下製程微縮關鍵的極紫外光（EUV）微影技術。
不同於 NAND Flash，DRAM 一個記憶胞（cell）就有一個電晶體與電容，
當製程下到 10 奈米，線寬狹小到難以直接將電容堆疊於上頭，三星利用四重曝光
（quadruple patterning technology,QPT）技術，來改變 10 奈米記憶胞結構，
讓電晶體與電容足以有空間做連結。

DRAM 製程轉進為什麼變得緩慢？

電容問題，成為 DRAM 轉進 10 奈米以下製程的技術難點，
另一方面，記憶體大廠在先前 DRAM 大崩盤下咬牙苦撐下來，卻仍舊面臨市況持續不佳的景況，
近幾年製程的提升逐漸變得緩慢，也大幅降低投資的比重，
當邏輯製程已來到 14/16 奈米，記憶體製程才在 20 奈米，逐步要踏進 18/16 奈米而已，
但對橫跨記憶體與晶圓代工的三星而言，即擁有掌握記憶體市場技術轉進的本錢。

三星與台積電、英特爾之間的邏輯製程競賽，已進入 10 奈米以下製程爭戰，
由於記憶體製程較邏輯製程容易，台積電、三星通常都以 SRAM、DRAM 來練兵，製程的轉進先從記憶體下手，
當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。

三星在 2015 年 11 月中即發表 10 奈米 FinFET SRAM，三星在製程技術即領先記憶體群雄，
現在 DRAM 製程一舉轉進 10 奈米，藉此狠甩對手的意圖不言可喻。

台積電在去年 12 月底，於供應鏈管理論壇也透露，早已成功以 7 奈米製程產出 SRAM，
而且預告供應鏈夥伴可開始準備 5 奈米，接下來邏輯製程競賽同樣可期，
依台積電與三星先前說法，10 奈米製程量產約在 2016 年底，英特爾第一顆 10 奈米 CPU 則延至 2017 年下半。
不只記憶體製程競賽出現大變化，邏輯製程競賽同樣可期。

由 TechNews科技新報 轉載