新聞 : 逃離DRAM殺價戰！傳三星率先量產18nm、美光落後2年

全球記憶體霸主三星電子拉大與對手差距，據傳已經搶先業界開始生產18奈米(nm)DRAM，
美光遠遠落後，技術差距擴大到兩年以上。三星技術領先將可維持獲利，不用擔心DRAM價格滑落侵蝕利潤。
韓媒etnews、韓國時報報導，業界人士透露，三星韓國華城工廠生產的18奈米DRAM，已經開始出貨，將供貨給蘋果。
消息人士說，兩年前三星率先量產20奈米DRAM，如今三星再次領先業界，第一個商用化18奈米DRAM。
據了解，18奈米DRAM初期產量不大，三星已經增訂設備，預計夏天過後產量將會增加。
早期供貨主要用於PC，之後將生產伺服器和行動裝置用的DRAM。

報導稱，三星量產18奈米DRAM，生產成本的競爭優勢拉大，
就算DRAM價格繼續下滑，其他業者陷入虧損，三星仍能維持獲利。
據稱記憶體二哥SK海力士已經量產20奈米，
但是18奈米DRAM仍在研發階段，要到明年初才能商用
記憶體老三美光(Micron)更慘，轉進20奈米踢到鐵板，至今未能量產20奈米DRAM。

Daishin Securities研究員Kim Kyung-min說，
由結果看來，韓廠和美光科技落差極大。
美光DRAM技術落後三星兩年以上，恐需憂慮是否會立刻出現虧損。

不過由日本方面消息看來，美光情況似乎沒那麼糟。
日經新聞去年10月12日報導，美光計劃1年內對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓，
導入最新生產設備，量產全球最先端、採用16nm製程技術的DRAM產品，
目標2016年上半年確立16nm DRAM的量產技術。

日經指出，和現行20nm製程相比，採用16nm製程後，每片晶圓的記憶體數量將增加，預估產能可提高2-3成，
上述廣島工廠確立16nm DRAM量產技術之後，美光也會對日本、美國、台灣等地工廠的其中一座進行追加增產投資。
日本網站Gadget速報去年12月30日轉述韓媒ETNews指出，
三星電子預估將在2016年Q1開始量產1x-nano(18nm)DRAM產品、最遲會在Q2量產。
報導指出，三星量產18nm DRAM之後，有望藉此降低製造成本、提高獲利，
而三星競爭對手南韓SK Hynix和美國美光(Micron)
也將跟隨三星腳步於201年內量產1x nm等級的DRAM產品，宣布DRAM進入「1x nm」大戰。

由 MoneyDJ 財經知識庫 轉載