新聞 : 三星與對手反其道而行　縮減記憶體資本支出

記憶體龍頭三星電子(Samsung Electronics)為了對應市場消沈的狀況，預計將大幅縮減2016年的投資。
比起大量生產，將以高附加價值產品為中心，只進行保守性的投資，是要確保收益策略。
反之，東芝等公司計畫增加投資，縮減與三星差距。

半導體業界人士表示，比起已用V-NAND技術獨佔3D NAND市場的三星來說，
其他從2016年才要開始量產的業者們，得要投資更多才可能縮小與三星的技術差距。
雖然新的一年市場條件不好，但在後方追擊業者們卻來勢洶洶。

據韓媒 Money Today引用市調業者IHS資料顯示，
2016年三星NAND Flash投資展望是20億美元，比起2015年的33億美元是大幅縮減。
DRAM投資展望也是只有53億美元，預計比起2015年將減少10億美元。
NAND Flash和DRAM加總起來，記憶體全部投資展望是73億美元，
比起2015年減少約23億美元。

三星相關人事表示，投資狀況會跟著市況有很大的變動，目前無法確定金額。
縮減投資的理由是因為全球經濟萎縮，對IT產品的需求整體下降，產品價格也走弱。
以DDR4 4Gb為基準，DRAM價格在2015年6月是3.7美元，到2015年12月已經跌到2.1美元左右了。

值得注意的是，其他競爭對手們如果要趕上技術領先的三星，只能持續的增加投資。
記憶體排名第二的海力士已發表2016年將維持2015年水準，預計將投資6兆韓元(約50億美元)以上。

依照領域來看，2016年投資將及中擴大投資於3D NAND Flash市場中。
將投資最多的是與SanDisk合作的東芝，預計將投資34億美元;
美光投資金額預計將為23億美元，比2015年增加了8億美元;
宣布要進入NAND市場的Intel也將新增15億美元的投資。

首先，東芝和新帝將一起投資5兆韓元以上，預計將在日本三重縣四日市新建NAND工廠。
東芝在2015年第3季NAND 市佔率為30.3%，緊跟在龍頭三星電子36.7%之後。
東芝與新帝的投資預計大陸也會連帶受惠。
業界意見指出，SanDisk被大陸的紫光集團給間接收購了，
因此也有可能與大陸業者擴大合作。

而三星預計用先進技術為武器，來甩開追擊的競爭業者。
相關人士表示，三星在2015年就已經先進行了許多必須的基本設備投資，
所以預計2016年將以高附加價值產品為中心，並聚焦在強化收益上。
三星2016年將開始量產使用了10奈米微細製程技術的DRAM，以此拉開與停留在20奈米對手的差距。

至於三星在大陸西安廠投資將繼續進行，與整體縮減投資無關，
並且將增加從2015年開始量產的第三代(48層)V-NAND的比重。
預計最近數年間所累積的西安工廠折舊負擔也將逐漸減輕，而收益將更上一層。
三星電子在2015年1~9月光是半導體設備就處理了9.3兆韓元的折舊費。

由 DIGITIMES電子時報 轉載