新聞 : 記憶體廠看後市:NAND 比 DRAM 更緊,Q3 入旺季

記憶體市況在諸多不利因素遠離,又加上鎧俠與威騰污染事件影響市場短期供需失衡,整體記憶體市況將於第二季起邁向正向循環,記憶體大廠也陸續釋出對後市看法,整體產業落底趨勢確立,尤其 NAND Flash 供需更緊,兩大記憶體報價反轉向上,第三季則進入傳統旺季,延續動能。

威剛:NAND 3 至 5 月最吃緊
威剛董事長陳立白指出,鎧俠與威騰的工廠產線受污染事件後,讓記憶體空頭已提前結束。以生產時序推估,NAND Flash供貨將會在3月至5月最為吃緊,在市場預期心理帶動下,2月下旬的NAND Flash現貨價已明顯走揚。隨著現貨價站穩腳步,預估兩大記憶體合約價也將在本季落底,第二季開始回溫,穩步向上發展。
DRAM部分,半導體供應鏈長短料問題正逐步紓解,加上DRAM現貨價自去年12月開始止跌回升,已維持近一個季度的穩健走勢,客戶對DRAM備貨也轉為積極正面。

宇瞻:DRAM 漲勢蠢動,NAND Q2 大幅供不應求
宇瞻認為,DRAM上漲力道已在蠢動,主要來自智慧型手機、消費電子和伺服器以及PC,但因DRAM不是短料,在長短料的不平衡下,記憶體常常是最後一秒才拉貨,客戶動態變化很大,目前長短料狀況改善中,估下半年短料轉順暢,需求會浮現,尤其組裝系統的買家通常會在最後才採購記憶體,但價格微幅上升時客人就會回頭採買。
至於在NAND Flash部分,因污染事件第二季後將轉為大幅供不應求,直接的缺貨發生在4~5月,Flash會很快價格上漲,第三季迎季節性旺季來臨,第四季才會緩跌。

群聯:NAND Q2 供不應求,加強備庫存
群聯認為,鎧俠/威騰污染事件,影響NAND Flash生產時程約4~5個月(Wafer in到封裝測試完成),原廠已於3月3日公告全線恢復產能,期間共計約6星期,未污染的產品預計3月進入市場,惟因產線停工約6星期,4月應就會影響供給輸出,屆時將出現供給缺口,影響時間點落在4~6月,預期第二季將有供不應求的狀況,而群聯於去年第四季到今年第一季持續積極備庫存,預計在5月底到6月初可供應客戶需求。

由 科技新報 轉載