新聞 : SK海力士加快M14建廠速度　欲搶明年3D NAND布局

SK海力士(SK Hynix)瞄準3D NAND Flash市場，位於南韓京畿道利川的M14廠，
正加速二樓無塵室的設計作業，預計會在2016年第3季完成設備搬遷，正式投入量產。

據韓媒inews24報導，業界消息傳出SK海力士在12月初啟動利川M14廠的2樓無塵室設計作業，
施工結束後就會立刻進行設備搬遷。通常無塵室工程結束後，
從設備進駐到完成量產系統建構最少需要6個月，
因此推算M14場最快在2016年第3季可正式量產3D NAND Flash。

業界人士表示，目前M14廠在一樓生產20奈米DRAM，而二樓會在無塵室完工後進駐設備，
並漸進式地開始生產36層與48層3D NAND Flash。
第二代的36層3D NAND Flash產品會在12月底完成開發，
計畫在2016年初於南韓清州的M11、M12廠生產。

SK海力士在第3季財報電話會議中證實，
市場接受第三代3D NAND Flash的速度相當快，
因此研判必須擴產，正考慮在M14場二樓設置生產線。

2015年10月三星電子成為第一家量產3D NAND Flash的業者，
而競爭對手東芝與美光也將在2016年量產，讓戰局更為激烈。

值得一提的是，大陸業者間接併購SanDisk，等於宣告跨足3D NAND Flash市場。
Intel也以2016量產3D NAND Flash為目標，正在轉換位於大陸大連廠的生產線。
3D NAND 戰局一觸即發，SK海力士也因此受到刺激，開始加速準備量產。

分析師表示，SK海力士擁有製造DRAM的頂尖技術與競爭力，
但是在NAND Flash領域因技術與市佔率競爭激烈，排名屈居下位。
眼見大陸業者與Intel相繼投入戰局，刺激海力士不得不加速鞏固競爭力。

SK海力士目前旗下除了M14廠，所有生產線都是產能全開的狀態。
而市場專家認為，SK海力士為了發展新成長動能3D NAND Flash，
還會有攻勢更猛烈的投資計畫上場。

市調機構DRAM eXchange的資料指出，以SK海力士第3季營收為基準，
以NAND Flash市占率為10.9%，排名第五。第一名的三星31.5%，
其次為東芝20.5%，SanDisk 15.4%，美光13.8%。

由 DIGITIMES電子時報 轉載