新聞 : 奈米碳管記憶體投產 未來可望取代NAND FLASH

Nand Flash 具有資料儲存密度高即可重複覆寫等特性，
獲市場各式行動裝置廣泛採用多年。
但新型態奈米隨機存取記憶體(Nano-Ram;NRAM)也正如火如荼開發中，
由於NRAM讀寫速度更快、資料儲存密度更高、並可承受更多複寫次數，
加上耐熱抗震，有極大潛力取代現行NAND FLASH。

由DIGITIME 電子時報 轉載