新聞 : Western Digital 發表全球首個 64 層 3D NAND 記憶體技術

Western Digital 公司 28 日宣布成功開發下一代 3D NAND 技術 BiCS3，
具有 64 層垂直儲存功能。新技術產品將在位於日本四日市的合資晶圓廠進行試產，
預計今年稍晚即開始正式生產。Western Digital 預估 BiCS3 在 2017 上半年開始商業量產。

Western Digital 記憶體技術部門執行副總裁 Siva Sivaram 博士表示：
「運用我們領先業界 64 層架構為基礎，推出下一代 3D NAND 技術，將增強我們在 NAND 快閃技術的領導地位。
BiCS3 採用了 3 位元（3-bits- per-cell）技術，並在高深寬比半導體處理上實現進展，
能夠以更優成本提供更高容量、出色效能，並具有更高的可靠度。
加上 BiCS2，我們的 3D NAND 產品組合將大幅擴充，
提升了我們滿足零售、行動與資料中心整體客戶應用需求的能力。」

Western Digital 發表全球首個 64 層 3D NAND 記憶體技術 BiCS3 是 Western Digital 
和其技術及製造夥伴 Toshiba 攜手開發的結晶，
初期將提供 256gigabit 容量規格，日後還會擴充至一顆晶片 0.5 terabit 的容量。
Western Digital 預計 BiCS3 產品在 2016 年第四季向零售市場大量出貨，
本季開始向 OEM 廠商送樣，上一代 3DNAND 技術的 BiCS2 仍會繼續向零售與 OEM 客戶供貨。

由 TechNews科技新報 轉載