新聞 : 東芝NAND超車失敗　三星今年下半量產64層

上週東芝及WD宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash製程，
並將於2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市佔王三星。

外電報導，三星將搶先於今年底前開始量產64層3D NAND，
三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。

SSD（固態硬碟）近年來製程技術演進，成本價格逐漸逼近硬碟（Hard disk），
因此滲透率大增，各大廠陸續將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash（儲存型快閃記憶體），大搶市佔率，
除了比市佔更還要比技術。

東芝（Toshiba）及WD（威騰）於日前同時發布新聞稿宣布，
已領先全球研發出堆疊 64 層的 3D Flash 製程技術，正式開始向客戶送樣，
預計將透過本月7月完工的日本四日市工廠「新第 2 廠房」量產，量產時間都預計為2017年上半年。

當時市場都解讀NAND Flash龍頭三星，因64層堆疊技術尚未有產出消息，
因此認為將被東芝及WD超車，但根據韓國媒體《Electronics Weekly》報導，
三星表示，預計將於今年底前量產4G V-NAND及18奈米製程的DRAM，目前進展順利。

由 蘋果日報 轉載