新聞 : 武漢新芯與紫光集團聯手，中國 NAND Flash 產業邁入新章

紫光集團預計於武漢成立長江儲存科技，未來將納入武漢新芯並統籌旗下一切記憶體發展項目，
目前整體規劃朝向 NAND Flash 產業發展。

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，
紫光集團與武漢新芯聯手，使中國記憶體產業發展進入新章，
可望為後續中國布建自主性記憶體產業帶來進展。

中國業者近一年來藉布局記憶體產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，
未來一舉一動都將牽動全球記憶體產業格局。

DRAMeXchange 預估 2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年複合成長率高達 47%，
在 SSD 需求高度成長的帶動下，NAND Flash 未來 10 年可望皆維持高度成長態勢，
因而紫光集團與武漢新芯目前的發展將著力於 NAND Flash 產業。

楊文得指出，武漢新芯原為 NOR Flash 大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設有所擅長，
而紫光集團則在資金募集及策略併購等均有過人之處，
透過兩強攜手整合資源，能使中國記憶體產業投資的整體資源配置更加集中，
並在整合上產生更多綜效，對內得以於未來中國記憶體產業的發展中瞄準較佳的地位，
對外則能提升產業上談判的籌碼，有助於中國建立產業自主性，後續發展值得關注。

現階段武漢新芯在 NAND Flash 的布局領先其他中國記憶體業者，
其與飛索半導體合作開發的 3D-NAND Flash 技術正持續往 32 層堆疊的初期量產目標邁進，
今年 3 月也在大基金的支持下興建新 3D-NAND Flash 廠，預計 2018 上半年實現量產目標。
至於其他 NAND Flash 業者，三星除西安廠的投資外，南韓平澤廠區也規劃新的 3D-NAND Flash 產能。

東芝與威騰公司旗下晟碟在日本 Fab2 廠的產能持續增加，
新廠也可望自 2018 下半年投產最新製程的 3D-NAND。
SK 海力士則除現階段 M11 與 M12 廠外，M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產也將從明年第一季開始進行。
美光現除了新加坡 Fab10X 的擴建外，並未有新廠規劃。

楊文得進一步表示，由於 3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠高於 2D-NAND Flash 的數倍，
因此美光集團若能與紫光集團／武漢新芯比照「華亞科」模式合作
（美光提供生產技術，合作方提供資金與生產產能），
則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，
更有機會在市佔率拉近與三星和東芝／威騰陣營的距離。
因此紫光集團與武漢新芯的聯手格外引人矚目。

由 TechNews科技新報 轉載