新聞 : 英特爾 3D NAND Flash 產能再擴張！大連廠宣告投產

SSD 等應用提升下，Nand Flash 需求正快速成長，
各家記憶體廠無不積極擴產，以擴展自身在 NAND Flash 的市佔，
半導體巨擘英特爾在 2015 年 10 月同樣看好 NAND Flash 發展，宣布與大連市政府合作，
將原本生產處理器晶片的廠房轉型生產 3D-NAND Flash 晶片，
而現在廠房改置完畢，在 25 日正式宣告投產。

據中國官方媒體中新社旗下網站中國新聞網報導，
英特爾投資 55 億美元轉型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工，並於 25 日正式投產。

報導指稱，位於中國遼寧省大連市金普新區的該廠區，
為全球首座以 12 吋（300mm）晶圓生產 NAND Flash 的製造中心，
目前有逾千名英特爾員工與數千名設備項目建設正加緊工作，以期早日量產。

報導同時指出，為實現高階人才在地化，
約 300 多位中國工程師以前往美國、新加坡等國家培訓，
未來以承接先前外籍專家在該廠相關技術與管理的職務。

據先前調研機構集邦科技旗下記憶體 DRAMeXchange 預估，
英特爾大連廠轉型後，初期  3D-NAND Flash 月產能約 3~4 萬片。

英特爾大連 12 吋廠於 2010 年完工，原先規劃以生產 65 奈米製程 CPU，
但在績效不佳外，英特爾於去年 10 月 20 日與大連市政府簽署協定，
投資 55 億美元，轉型生產 3D-NAND Flash，
以期搭上中國消費電子產品蓬勃、記憶體需求大量成長的列車。

而想搭上 3D NAND Flash 這波需求列車的也不少，
繼三星之後，各家 3D-NAND Flash 產品也陸續量產、拓張產能，
英特爾除了大連廠，與美光共同投資的新加坡 IM Flash 廠也在今年 1 月投入 3D-NAND Flash 的生產。

此外，15 日東芝在日本四日市的半導體新廠 Fab 2 舉行開幕儀式，
廠房同樣運用於 2D Nand Flah 到 3D-NAND Flah 製程的轉換，
估計到今年第四季 3D NAND 月產能約 4 萬片。

SK 海力士於韓國清州市所興建的 M14 廠在 2015 年年中落成後，
宣告再加碼 15.5 兆韓圜（約 4,500 億新台幣），
規劃於十年內投資三座半導體廠房，暗示加大對 3D-NAND Flash 的生產。

由 TechNews科技新報 轉載