新聞 : 東芝超車三星，擬於 Q3 生產 64 層 NAND Flash

三星電子的 3D NAND Flash 霸主寶座出現危機？
三星是第一家開發出 3D NAND Flash 業者，技術遙遙領先，
不過據傳日廠東芝（Toshiba）砸重金研發後，情勢一夕驟變，
東芝即將超車三星，成為首家生產 64 層 3D NAND Flash 的廠商。

BusinessKorea 20 日報導，2013 年三星電子率先製造 3D NAND，
東芝直到今年春天才加入生產行列，不過卻以光速追上對手，
計劃今年第三季生產全球首見的 64 層 3D NAND Flash，比三星快了一季。

64 層 3D NAND Flash 極為重要，
業界認為 64 層 3D NAND Flash 的出現，代表平面 NAND Flash 時代劃上句點。
3D NAND Flash 採垂直堆疊，可提高記憶體容量和速度，表現優於平面 NAND Flash。

儘管東芝來勢洶洶，半導體專家指出，東芝和三星仍有技術差距，
兩家公司最大不同在於控制閘（control gate）技術，三星採用 TANOS、東芝使用 SONOS。
據稱東芝的技術便於多層堆疊，但是缺點在於製程較為複雜、生產力較低。

由 TechNews科技新報 轉載