新聞 : 東芝、WD 日本四日市半導體新廠開幕！雷軍意外現身

隨著 SSD 逐步取代硬碟，Nand Flash 需求正快速成長，
而在製程微縮、物理極限下，3D Nand Flash 的發展也日漸受到重視，
三星、SK 海力士、英特爾/美光等大廠，無不重金投入大舉增產，日廠東芝（Toshiba）也沒有缺席，
今 15 日東芝偕美國硬碟大廠威騰（Western Digital）為日本三重縣四日市
新設的半導體二廠（Fab 2）舉行開幕儀式。

東芝今 15 日攜手威騰於日本三重縣四日市舉行半導體新廠 Fab 2 開幕儀式，
同時也宣告東芝實現 3D Nand Flash 產能的擴張！

東芝官方指出，在看好 Nand Flash 在智慧手機、SSD 與其它應用領域的成長，
新廠房將運用於 2D Nand Flah 到 3D Nand Flah 製程的轉換。
工廠也使用大數據分析，透過每天 16 億筆資料的處理確保 3D Nand Flah 的品質與良率。

新落成的半導體二廠 Fab 2，鄰近原先東芝四日市廠區，
廠房於 2014 年 2 月動工，已於今年 3 月啟動試產，

據科技新報取得的消息，目前正式量產後，到今年第四季 3D Nand Flash 產能估計將拉升到每月 4 萬片。
該廠房當初由東芝與 SanDisk 共同投資興建，而今 SanDisk 為威騰所收購，
威騰也打算加大對 3D Nand Flash  的投資。

在開幕同時，兩者宣布至 2018 年前將投入超過 8,600 億日圓（約 2,610 億新台幣）
在 Nand Flash 的投資與產能布建。

而東芝在今年 3 月當時宣布加碼投入與 SanDisk 合作開發的 
3D NAND Flash 記憶體「BiCS FLASH」產能的投入金額約 3,600 億日圓。
如今看來規模提升不少。

值得關注的是，小米董事長雷軍也現身 15 日東芝新廠開幕典禮會場，
14 日韓媒 BusinessKorea、南韓時報也報導，傳出雷軍近日將密會三星記憶體部門主管，
雷軍是為加大對記憶體的採購，或為藉拜會幾家記憶體大廠取得更好的議價空間同樣頗耐人尋味。

調研機構 IHS 日前發布 2016 年第一季整體 Nand Flash 銷售報告，
三星在  Nand Flash 銷售額達到 26.15 億美元（約 840 億新台幣）市佔拉升至 42.1%，維持產業市佔第一，
東芝市佔則約 28% 居於第二，美光、SK 海力士市佔分別為 18.8%、10.6% 分居第三、第四。

由 TechNews科技新報 轉載