新聞 : 中國記憶體超車有望？傳武漢新芯將合體紫光，洽美光助攻

中國擴張半導體產業，被視為重點項目的記憶體可能再出現新局，
統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，
且現在不只獲飛索半導體（Spansion）在 3D NAND Flash 的技術授權，
還可能得到大腕美光（Micron）的協助。

雙方各有強項，整合出記憶體中國國家隊

科技新報取得消息，中國武漢新芯將與紫光集團將聯手，共同發展記憶體。
武漢新芯已經有兩萬片的 12 吋廠規模，加上新廠已經開始動工，
適合作?生產的基地，節省紫光從頭開始的時間，也間接克服紫光也沒有半導體製造人才團隊的問題。 
紫光集團旗下的紫光國芯，去年八月取得中國唯一的 DRAM IC 設計公司西安華芯控股權。
加上紫光集團的資金募集、活動力驚人，也有華亞科前董事長高?全助力。 
紫光與武漢新芯的整合，不僅在生產團隊、既有半導體廠基礎、IC 設計團隊、民間資金、
國家基金都產生更大的實力。也加大了跟技術授權來源美光的談判優勢。

將華亞科模式套用在 Nand Flash 上

更進一步地，傳聞中國方已與記憶體大廠美光（Micron）洽談技術合作事宜，
武漢新芯與紫光獲有機會取得美光在 Nand Flash 的技術授權。
由中國提供資金建廠，美光授權技術，以華亞科模式進行生產 Nand Flash！ 
所謂的華亞科模式，就是美光提供生產技術，合作方股東出大量資金建廠。
美光可以在不出錢的情況下，取得技術授權金與分享產能的回饋。

DRAM 還是 Flash？

以美光而言，選擇技術授權 Nand Flash 而非 DRAM 會是合理的方案。

一、美光也會想維持 DRAM 寡占格局，以及市場無需大量新產能 DRAM 長期以來供過於求的市況近期終於轉佳，
各家大廠在寡占格局下，試圖維持平衡不貿然擴產，為免重啟流血價格戰。

二、Nand Flash需求仍快速增長，有擴產需要，
在 SSD 需求高漲下，Nand Flash、尤其是下一世代主流 3D Nand Flash 尚處快速長步階段。
市場未來仍然需要新產能與更多的產出。包含三星、東芝、SK 海力士都在擴充 3D Nand Flash 的產量。
透過技術授權，除了能取得一定的授權金，美光也能取得更多的產能維持自家的市占率與研發基礎。

三、美光技術、資金實力皆須藉助外力 美光的 Nand Flash、DRAM 技術、產能，
事實上現在在記憶體產業都屬於落後班。
雖然以最近他的約當現金來看有 46 億美金之多，
但是後面一年的營運預估約當現金會降到 30 億美金的水位。距離他的歷史低位不遠，也沒有額外的能力擴廠。

尤其在三星、Toshiba、SK Hynix 都在積極轉進 3D NAND Flash，也在擴產時。
美光的落後狀態對於未來相當不利。
這時有願意提供無風險華亞科模式的 Flash 廠，就猶如天上掉下來的禮物了。 
武漢新芯為中國政府選定統籌國家整體記憶體產業發展的根據地，
日前位於武漢東湖高新區的廠區正式動土，其所規劃產能到 2030 年高達 100 萬片，
一開始就鎖定 3D Nand Flash，目標追上與記憶體大廠之間的距離，
然目前武漢新芯僅取得飛索半導體（Spansion）的技術授權，
據悉，Spansion 實驗室產品堆疊尚在 8 層、10 層左右，估計 2017 年量產 32 層堆疊產品，
然目前堆疊技術已來到 48 層，以目前技術要能追上各家大廠實有一定難度。
倘若獲美光的技術支援，或有一線轉機。

高層人士將異動

由於兩個集團在 Nand Flash 上的合作，資金龐大、團隊人數高，並且有高難度的涉外談判。
因此領導體系，必需有明確的指揮。
因此也傳出紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能扮演重要角色，
而新芯董事長楊士寧等可能有異動。不過因?背後的政治系統複雜，仍有許多變數。

對臺灣、記憶體產業的影響

紫光加武漢新芯的記憶體國家隊在與美光的談判中，Nand Flash 會是首先的要角。
至於後續的  DRAM，或是入股美光的可能性也都觸及。
不過由於美國也正在進入史上最敏感的總統大選，未來政治走向如何？ 
產業、美光也都戰戰兢兢的在觀望。存在的變數甚多。 

如果第一步僅是 Nand Flash 對中國的技術授權、生產，那?對華亞科、南科的衝擊將不大。
不過由於後續在晶圓廠量產時，臺灣有經驗的工程師能提供的助益甚大。
因?高階半導體人才的流失問題值得產業以及政府重視。

由 TechNews科技新報 轉載