新聞 : 記憶體有救？傳三星認輸不耍狠、資本開支狂砍31%

三星電子認清現實，不打算犧牲利潤搶市佔了？ 
RBC Capital Markets預估，記憶體價格慘跌，三星將狠刪31%資本開支，
暗示三星應該不會大幅擴產，記憶體業有望回穩。

韓國時報報導，RBC資深分析師Amit Daryanani 18日報告稱，
今年全球記憶體資本開支將年減4%、至502億美元。
其中減幅最大的是三星，資本開支將年減31%、約40億美元。

RBC估計，三星DRAM產線70%轉為20奈米製程之後，DRAM資本開支會減少26億美元。
NAND Flash方面，RBC估計，等到三星西安NAND廠上線之後，NAND資本開支也會減至10億美元。

與此同時，另一韓國記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)應該也會跟進。
Daryanani表示，SK海力士會投資DRAM轉進20奈米，但是不太可能大幅投資3D NAND，
因為當前平均售價不高、技術挑戰又多。

報告稱，大環境不佳，半導體銷售下滑，會壓縮設備投資。
三星和SK海力士都將在本月底公布第一季財報，屆時會一併說明投資計畫。

Brean Capital看法也與RBC類似，認為記憶體業將逐漸恢復平衡。
巴倫(Barronˋs)網站、韓媒etnews報導，Bernstein Research先前痛批三星電子心狠手辣，
意圖在記憶體界趕盡殺絕，剷除SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)，剩下一家獨大。

對此，Brean Capital看法不同，Brean Capital較為樂觀，認為業者為了追求利潤，
DRAM和NAND Flash產出不致失控；並指出智慧機的記憶體需求大增，價格將逐漸回穩。

Brean Capital的Mike Burton出，目前只有三星有能力製造3D NAND，其他業者要到今年下半才開始生產。
3D NAND採用較舊製程(35~50奈米)，業者能以較低成本、提高產能。

英特爾主管David Lundell表示，
預計大連廠會在今年底量產3D NAND。DRAM方面，Burton預期需求飆升，價格將逐漸穩定。
舉例而言，蘋果iPhone 6s內建DRAM加倍、增至2GB，高階Android機種記憶體達3GB。

由 MoneyDJ 財經知識庫 轉載