新聞 : 聯電搶攻利基型記憶體，準備於泉州市合資設立 12 吋廠

隨著中國武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動，準備瞄準 NAND Flash 產業，
並在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人，
原本預估在武漢新芯自己有大規模產能，恐將威脅其他記憶體代工廠的情況下，其他廠商可能陸續退出市場。
不過，卻有廠商反其道而行。晶圓代工大廠聯電就宣布，
目前正積極規劃切入利基型記憶體代工的市場，而且現正招聘人手中，並且逐步開始準備小量試產。

根據聯電指出，聯電現已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組，
並由甫加入聯電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍。
至於，其他包括技術授權、與對岸合資計畫，建廠進度，投資金額等內容，則待雙方簽訂合約後才能公布。

另外，聯電為擴大在記憶體市場的布局，也開始規劃與大陸泉州市政府合作，
在泉州興建 12 吋晶圓廠，切入利基型記憶體代工。
對此，聯電內部也成立相關的專案小組，進行包括記憶體工程師人才的招募，
以及在南科廠區設立小量產線試產等地工作。

由於聯電在本周即將召開相關記憶體製程的設備廠商大會，
針對南科廠區的小型產線設備進行報價工作。
因此，預計聯電的記憶體代工事業將會自台灣開始出發，逐步再向中國市場擴展。

由於聯電一直擁有嵌入式快閃記憶體技術，加上陳正坤進入聯電集團之後，
未來除了有機會搶進嵌入式快閃記憶體之外，還有機會在利基型 DRAM 市場一較長短。
由於記憶體產業被中國政府列為重點發展，因此包括儲存型快閃記憶體（NAND Flash）及
利基型記憶體（DRAM）市場都將快速發展下，聯電希望能藉此取得一席之地。

不過，原本聯電期望由與廈門市政府合資的聯芯半導體，
原本也打算爭取列入中國國家級 NAND Flash 和 DRAM 指標企業，但最後卻由清華紫光旗下的同方國芯出線。
但是，聯電卻並未因此放棄在中國設立記憶體代工廠的計畫，
在泉州市政府積極爭取與聯電合資後，雙方將準備在泉州設立中國南方首座記憶體代工業務，
同時協助中國相關利基型記憶體 IC 設計公司成立，建構完整垂直生態供應鏈的方向邁進。

由 TechNews科技新報 轉載