新聞 : 英特爾、三星力爭記憶體主導權 鎖定 3D XPoint技術正面交鋒

三星電子(Samsung Electronics)近期成功自主研發次世代記憶體3D XPoint技術，
不讓英特爾(Intel)專美於前，三星係以次世代記憶體ReRAM(Resistive RAM)特性為基礎，
發展出具有3D交叉結構的高密度記憶體，與英特爾2015年所推出3D XPoint技術原理大致相同。

據南韓Digital Times報導，近年來三星機及研發次世代記憶體，
藉由成功研發出呈現3D XPoint結構的低電阻記憶體，
可望與英特爾共同掌握未來記憶體市場主導權。

英特爾和美光魚2015年宣布量產採用3DXpoint技術的記憶體產品，
三星則已完成技術研發，並將觀察市況，在必要時刻出手因應。
三星內部人員表示，三星將持續根據記憶體市況，並配合次市代記憶體趨勢，進行相關技術研發。

採用3D Xpoint基本原理的低電阻記憶體技術，業界原本預期在PRAM、STT RAM等次市代產品，
才會進入商用化階段，主要係因耗電量大且無法明確規範電阻變化，使得研發不容易。
低電阻記憶體是記憶體Cell內呈現薄膜型態的低電阻物質，透過傳輸電氣訊號改變物質電阻，以記錄資訊。

目前三星僅完成研發，尚未商品化，理論上3D XPoint資訊傳輸速度可較傳統NAND Flash高1,000倍以上，
傳統NAND Flash每個Cell約可使用1,000次，3D XPoint則可耐承受100萬次的循環。
三星考慮未來3D XPoint技術擴大應用在記憶卡、固態硬碟、相機影像感測器、
行動應用處理器晶片模組等多元產品，但現階段尚未有商用化計畫。

由 DIGITIMES電子時報 轉載