新聞 : 長鑫停產 DDR4 全力投入 DDR5、高頻寬記憶體

大陸記憶體大廠長鑫存儲計劃針對伺服器及PC應用的DDR4發布產品結束（EOL）通知，預計最晚在2026年上半年正式停止供貨，轉而全力投入DDR5（雙倍資料速寫記憶體）及高頻寬記憶體（HBM）領域。EOL通知預計在第3季發布，但下游企業反映，目前市場上長鑫DDR4產品已近乎斷供。

快科技報導，長鑫存儲預計到2025年底，其單月產能將達到28萬片，未來有望突破30萬片，相當於全球DRAM產量的15%。隨著產能擴大，長鑫也在快速轉向DDR5，到2025年底，長鑫DDR5產能預計將和LPDDR4、LPDDR5一起，占產能的60%以上。

報導指出，未來長鑫存儲將不再開發標準型DDR4產品，僅保留部分產線為兆易創新代工生產，以保障消費市場的DDR4產品供應。除了DDR5之外，長鑫存儲據傳還在開發一種「高端」的HBM解決方案，這很可能指的是 HBM3。

對於長鑫存儲轉變，DIGITIMES引述業內人士說法稱，這一突然轉變是政策驅動的，因為北京方面敦促主要晶片製造商加快與國家目標接軌，特別是在人工智慧和雲端基礎設施方面。

證券市場周刊報導，三星、美光科技、SK海力士去年進一步縮減DDR4產品的比重。其中，SK海力士在2024年第3季DDR4生產比重已由第2季40%降至30%，第4季計劃進一步降低至20%；而三星已經推動DDR4的減產，並將部分產能轉移到DDR5和LPDDR5等先進產品上。

日經中文網此前報導，市場研究機構Omdia預測，DRAM內存顆粒的降價趨勢將持續至今年下半年，DDR4和DDR5都將受到影響。預計上半年價格跌幅將達到10%，下半年再將下跌5%。

此前消息稱，長鑫存儲在去年底便開始低調量產並出貨DDR5顆粒，同時正在開發下一代15奈米製程工藝，目標是在今年內完成開發，並在明年下半年實現量產商業化。長鑫存儲的DDR4和LPDDR4X DRAM顆粒主要採用17-18奈米工藝生產。

不過BusinessKorea此前報導，雖然長鑫存儲傳出成功量產DDR5晶片，縮小與三星電子等全球DRAM大廠的差距至三年以下。但因在晶片製造設備進口方面受限，良率估計僅10%-20%。

Counterpoint預計，在2024年全球DRAM市場，長鑫存儲占總產能的比重為13%，出貨量和銷售額分別占全球市場的6%與3.7%。預計到2025年，長鑫存儲產能將增長到與美光科技相當的水平。

由 經濟日報 轉載