新聞 : DRAM廠激戰16/18奈米

三星SK海力士美光今年將試產 製程競賽開打

DRAM再度過多年好光景後，去年起景氣轉壞，廠商必須積極轉進先進製程，才能取得成本優勢，
在去年剛進入20奈米後，3大廠今年將火拼16/18奈米，三星、SK海力士、美光今年都將開始試產，
不過從20奈米轉進的難度來看，16/18奈米進展是否如預期，值得觀察。

根據DRAMeXchange研究協理吳雅婷預估，
2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響，
單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展。
預估2016年整體DRAM需求約為23%，供給位元成長約為25%。
市場維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，
各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降以及產品組合的調配。 

三星進展速度最快

目前3大廠的20奈米都已經進入量產，其中三星進展速度仍是最快，
去年第3季在標準型記憶體及伺服器記憶體都已經大量供貨，
也推出行動記憶體LPDDR4，在現今跌價的市場中保有成本優化的優勢；
SK海力士也開始出貨，今年開始放量，行動記憶體將大量供貨。

美光度過研發及投產初期的不順遂後，產品在伺服器記憶體領域小量出貨，
標準型記憶體驗證正逐步執行當中，為3大廠中製程轉換最落後者，
美光在台日兩地的爾必達、台灣台中廠、華亞科等晶圓廠都已經完成8成的製程轉換，
本季開始出貨會有明顯的提升。

而在最新16/18奈米製程部分，三星挾帶製程工藝的優勢，
DDR4記憶體早在2015年進入20奈米製程的成熟期，8Gb已成為三星在DDR4的主流規格，
今年下半年也將進入18奈米製程，而美光、SK海力士也積極研發中，預期年底到明年初試產。
為了新製程，3大廠資本支出都還是維持高檔，三星今年記憶體資本支出約在70億元；
美光2016會計年度資本支出將增加為53~58億；SK海力士今年的資本支出49億美元。

美光今年急起直追

根據Bernstein Research分析師Michael Newman去年發表的報告指出，
技術領先的廠商將吃掉大部分利潤，南韓三星靠著20奈米製程領先對手，
去年獨吃市場6成利潤，其他家分食其餘4成，
三星領先推出DDR4、LPDDR4，因而擁有定價優勢。

相較之下，美光的代工廠華亞科（3474）去年第4季獲利只剩4億多，
以去年美光大部分利潤讓給華亞科來看，同一期間，美光DRAM事業恐怕已經見到赤字，
今年勢必要急起直追。 

由 蘋果日報 轉載