新聞 : 三星傷心，今年已不可能供應輝達 HBM3E

韓國記憶體大廠三星一直努力準備向 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 供應 HBM3E 高頻寬記憶體，但是現在看起來幾乎不可能。這是因為三星的HBM3E 高頻寬記憶體目前仍然無法通過輝達的認證。

根據外媒 wccftech 的報導，三星無法在輝達的供應鏈中占據一席之地，主要是因為該公司的 HBM3E 無法通過輝達訂定的測試和 HBM 標準，這結果在三星日前對投資人的報告中已經承認了，但對於接下來通過認證的結果保持樂觀態度。然而，根據韓國媒體 Daily Korean 的最新報導稱，三星 2024 年向輝達供應 HBM3E 高頻寬記憶體的期望，現在看起來幾乎不可能，但 2025 年確實會比較樂觀。

報導指出，既然三星無法在 2024 年向輝達供應 HBM3E 高頻寬記憶體，這就表示在 HBM 的市場競爭當中，三星的宿敵 SK 海力士持續拿下領先的位置。外傳，三星未能通過輝達認證的主要原因，是 SK 海力士將門檻定得很高，尤其是 SK 海力士在當中使用了 MR-MUF 等先進製程技術，導致三星很難獲得輝達的認證和有訂單。

在此一市場劣勢的打擊之下，曾經在 HBM 和 NAND 等記憶體產品市場呼風喚雨的三星，現階段正在失去逐漸失去領先優勢。因為 SK 海力士和美光等競爭對手已經向市場供應相關產品，但三星卻不見蹤影。不僅如此，即使在 NAND Flash 領域，SK 海力士也亦已經成為全球第一家量產 321 層堆疊解決方案的製造商，而三星日前宣布，預計最快要到 2025 年上半年末，才能提供領先的 400 層堆疊 NAND Flash，顯示其領先的程度已經逐漸消失。

報導強調，對三星來說，並非一切都是悲觀的、因為該公司預計最早將於 2025 年第一季開始向輝達等市場客戶供應 HBM3E 高諞寬記憶體。另外，三星還將憑藉下一代 HBM4 製程技術，期望重新領先競爭對手。只是，當前 SK 海力士已經與台積電合作，進一步開發 HBM4 的產品。所以，三星接下來的動作是不是能拿回領先寶座，則有待後續觀察。

由 科技新報 轉載韓國記憶體大廠三星一直努力準備向 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 供應 HBM3E 高頻寬記憶體，但是現在看起來幾乎不可能。這是因為三星的HBM3E 高頻寬記憶體目前仍然無法通過輝達的認證。

根據外媒 wccftech 的報導，三星無法在輝達的供應鏈中占據一席之地，主要是因為該公司的 HBM3E 無法通過輝達訂定的測試和 HBM 標準，這結果在三星日前對投資人的報告中已經承認了，但對於接下來通過認證的結果保持樂觀態度。然而，根據韓國媒體 Daily Korean 的最新報導稱，三星 2024 年向輝達供應 HBM3E 高頻寬記憶體的期望，現在看起來幾乎不可能，但 2025 年確實會比較樂觀。

報導指出，既然三星無法在 2024 年向輝達供應 HBM3E 高頻寬記憶體，這就表示在 HBM 的市場競爭當中，三星的宿敵 SK 海力士持續拿下領先的位置。外傳，三星未能通過輝達認證的主要原因，是 SK 海力士將門檻定得很高，尤其是 SK 海力士在當中使用了 MR-MUF 等先進製程技術，導致三星很難獲得輝達的認證和有訂單。

在此一市場劣勢的打擊之下，曾經在 HBM 和 NAND 等記憶體產品市場呼風喚雨的三星，現階段正在失去逐漸失去領先優勢。因為 SK 海力士和美光等競爭對手已經向市場供應相關產品，但三星卻不見蹤影。不僅如此，即使在 NAND Flash 領域，SK 海力士也亦已經成為全球第一家量產 321 層堆疊解決方案的製造商，而三星日前宣布，預計最快要到 2025 年上半年末，才能提供領先的 400 層堆疊 NAND Flash，顯示其領先的程度已經逐漸消失。

報導強調，對三星來說，並非一切都是悲觀的、因為該公司預計最早將於 2025 年第一季開始向輝達等市場客戶供應 HBM3E 高諞寬記憶體。另外，三星還將憑藉下一代 HBM4 製程技術，期望重新領先競爭對手。只是，當前 SK 海力士已經與台積電合作，進一步開發 HBM4 的產品。所以，三星接下來的動作是不是能拿回領先寶座，則有待後續觀察。

由 科技新報 轉載