新聞 : 三星開發完成 400 層堆疊 NAND Flash，預計最快 2025 年第二季末量產

根據韓國媒體報導表示，三星電子在其半導體研究所中已經成功完成了其突破性 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體技術的開發。目前，該公司也自上個月開始，將這項先進技術轉移到平澤園區一號工廠中大規模生產的線上。而這一重要的里程碑將使得三星處於 NAND Flash 快閃記憶體技術的領先位置，相對領先先前已經宣布開始量產 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的競爭對手 SK 海力士。

根據 BusinessKorea 的報導指出，三星電子計劃於 2025 年 2 月在美國舉行的 2025 年國際固態電路會議 (ISSCC) 上發表，並且詳細介紹其 1Tb 容量 400 層堆疊 TLC NAND Flash 快閃記憶體，並且預計將於 2025 年下半年正式開始。不過，一些市場專家預測，如果加快進程，大量生產的階段可能會在第二季結束時開始。

除了 400 層 NAND Flash 快閃記憶體之外，三星電子 2025 年增加其先進記憶體產品線的產量。其中，三星電子計劃在平澤園區安裝新第 9 代 （286 層堆疊） 的 NAND Flash 快閃記憶體生產設施，月產能為 30,000 至 40,000 片晶圓。此外，在中國西安工廠，三星將繼續將 128 層堆疊 （V6）NAND Flash 快閃記憶體生產線，轉換為 236 層堆疊 （V8）NAND Flash 快閃記憶體產品製程。

報導指出，三星電子 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發代表了相關技術的重大進步。三星電子於 2013 年推出的 3D NAND Flash 快閃記憶體，提升了容量與讀取速率之後，最新的 400 層堆疊 TLC NAND Flash 快閃記憶體的開發完成，顯示哲該公司在相關技術上的顯著進步。三星電子目前在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場市占率取得領先的位置，市佔率為 36.9%。不過，市占率近落後三星的 SK 海力士率先在 2023 年量產 238 層堆疊的 NAND Flash快閃記憶體，最近又宣布計劃量產 321 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體，帶給三星很大壓力。

NAND Flash 快閃記憶體市場近期受到多種因素的影響，包括消費者需求、定價趨勢，以及人工智慧 （AI） 和資料中心等資料密集型應用的興起，在資料中心用 NAND Flash 的銷售量不斷增加情況下，市場需求逐漸加溫。然而，11 月 128Gb MLC 的產品近期的交易價格下降了 29.8%，均價為 2.16 美元。根據市調機構 TrendForce 的分析，雖然 2024 年第四季 NAND Flash 價格預計下跌 3-8%，但企業級固態硬碟 (SSD )仍預計將上漲 5%。

報導強調，在三星電子準備大規模生產 400 層堆疊 TLC NAND Flash 快閃記憶體的同時，該公司也專注於優化晶圓良率。目前 NAND Flash 研發階段的良率為 10-20%。該技術成功轉移到生產線後，練綠的持續提升對於達成更高的產量和滿足市場需求將成為重要關鍵。

由 科技新報 轉載