新聞 : 因應市場變化，三星平澤 P4 一期調整為 DRAM+NAND Flash 混合生產

根據韓國媒體 ZDNET Korea 的報導表示，韓國三星內部已於第三季決定調整平澤園區 P4 產線第一期（Phase 1）的產能分配，就是要從純 NAND Flash 快閃記憶體的生產，調整為 NAND Flash+ DRAM 的生產，以因應市場需求變化。

報導表示，這次的產能改變可由該產線的內部代號名稱更改中看出來，原本該產線定名為 P4F，尾部的 F 即指 Flash 快閃記憶體。但如今現在的名稱是 P4H，H 是 Hybrid 混合的簡寫，顯示產線不只支援一個大項的半導體生產。

事實上，平澤園區 P4 產線第一期現已部分進駐 NAND Flash 快閃記憶體生產設備，三星目前計劃到年底前將該產線 NAND Flash 快閃記憶體的生產能力提升至每月 1 萬片晶圓。不過，由於市場的不確定性，到 2025 年中才有可能為 V9 QLC NAND 先進產品的進一步投資規劃。

而在 DRAM 生產部分，平澤園區 P4 產線第一期未來有望具備 3~4 萬片晶圓的月產能，製程方面則是導入三星目前最為先進的 10 奈米級 1a、1b 製程技術，以應對競爭對手的產能擴張，並在三星內部其他 DRAM 產線技術升級之際，持續保持對市場的充足供應。

根據規劃，三星的平澤園區 P4 產線總共包含四期建置計畫，其中三期 DRAM 產線即將開建，至於第二期晶圓代工產線則是在先前的決定中進一步暫緩投資。

由 科技新報 轉載