新聞 : 三星送樣輝達認證 HBM3E 受阻，因 1a 製程 DRAM 有問題

韓國媒體報導，三星又陷入瓶頸，旗下半導體、家電、行動通訊 (MX)、顯示器 (SDC) 等部門都經歷困難。目前全球市占率排名第一的記憶體業務，即使第三季景氣上升週期也未見亮眼成績，導致公司營運狀況不佳。

韓國媒體 ZDNet Korea 報導，三星高頻寬記憶體 (HBM) 市場對表現非常失望。因三星並未積極發展直到今年第三季，才積極想通過輝達 HBM3E 認證，期望打入供應鏈。但八層堆疊產品未通過認證，12 層堆疊很有可能延後到 2025 年第二或第三季後才有機會供應。

三星 HBM 未積極發展原因很多。專家指出，三星 HBM 問題就是核心晶片 DRAM。HBM 結構是將多個 DRAM 垂直堆疊連接，DRAM 效能與 HBM 效能直接相關，三星 HBM 的 DRAM，也就是 1a 製程第四代 DRAM 出了問題。

報導解釋 10 奈米製程 DRAM 產品，分為第一代 1x 製程、第二代 1y 製程、第三代 1z 製程、第四代 1a 製程、主流第五代 1b 製程。第四代 1a 製程 DRAM 線寬約 14 奈米，三星 2021 下半年量產，儘管比對手早，還用 EUV 提高產能，但未讓三星 1a 製程 DRAM 競爭力提升，反而因用 EUV 難度較高，讓三星 1a 製程 DRAM 生產成本遲遲無法下降。

且三星 1a 製程 DRAM 設計不夠完美，尤其伺服器產品開發受挫，使應用時機較對手落後。SK 海力士 2023 年 1 月 1a 製程 DRAM 的 DDR5 伺服器產品先通過英特爾認證，而三星 HBM3E 卻遲遲無法通過輝達認證。

三星日前平澤產線全面清查輝達認證過八層堆疊 HBM3E 產品，但沒有問題，三星自行檢視只查出數據處理速度低於其他產品，較 SK 海力士和美光產品低約 10%。

三星考慮新方法，就是部分重新設計 1a 製程 DRAM，之後再恢復伺服器 DRAM 和 HBM 產品競爭力。市場人士表示，三星還未最後決定。但若重新設計，三星須承受更大營運壓力。

由 科技新報 轉載