新聞 : 三星遭兩頭燒痛苦 從晶片領導者變成追隨者

南韓《中央日報》報導，三星電子在晶片大戰中正遭遇兩頭燒的痛苦，正從昔日的記憶體晶片領導者變成同業的跟隨者，而且還面臨緊迫追趕的中國企業壓力。

三星電子正處於失去記憶體晶片領頭羊頭銜的邊緣，還必須抵禦快速追趕的中國企業，同時艱難地追趕競爭對手SK海力士。迫在眉睫的危機導致三星晶​​片負責人全英賢（Jun Young-hyun）在上周公布不符合市場預期的第3季度初步收益後，發表前所未有的道歉，承認未達到市場預期，並對組織進行徹底改革。

三星合規委員會是一個監督公司遵守法律和道德的獨立委員會，該委員會在年度報告中承認，三星正在打一場硬仗。 該委員會稱 ：「三星電子毫無疑問是韓國最大的公司，但目前處境艱難，必須應對世界各地不可預測的快速變化的經濟狀況、第一個工會的出現、員工信心的喪失、招聘人才的困難以及技術洩漏 」。

三星在AI晶片領域的表現不佳，導致股價今年以來下跌20%以上。高頻寬記憶體（HBM）希望獲得AI晶片巨頭輝達的批准。儘管如此，目前還沒有跡象顯示三星最新的HBM產品很快就會通過輝達的資格測試，而且中國記憶體晶片製造商擴大市場佔額的速度也越來越快。

SK海力士目前是輝達第四代和第五代HBM3和HBM3E的唯一供應商，而三星仍在進行資格測試。 製造HBM晶片需要大量先進技術，但前提條件是DRAM的品質和成本，而這取決於其良率。

漢陽大學電子工程教授Park Jea-gun表示：DRAM的良率對於HBM來說至關重要，因為如果不符合標準，HBM的成本和處理時間將不可避免地惡化。

DRAM合格後，接下來就是公司將採用哪種封裝和鍵合技術來決定HBM的性能。三星電子和SK海力士都在採用1b奈米製程技術，相當於12奈米範圍，用於HBM3E的DRAM。良率被認為是保密的，但三星電子的1b奈米DRAM的良率據說明顯低於SK海力士。

三星電子也肩負著抵禦中國記憶體晶片製造商的任務，隨著中國與美國的競爭升級，中國記憶體晶片製造商多年來一直在努力實現晶片技術獨立。 此前，與中國企業競爭根本不在三星電子的討論議程上。

根據集邦諮詢發布的數據，中國晶片製造商在DRAM市場的市佔率預計明年第3季為10.1%，高於今年的6%。摩根士丹利最近的一份報告預計長鑫儲存科技今年的DRAM 產量將超過10%，並預測中國廠商對傳統DRAM市場的入侵將會更快。

由 自由財經 轉載