新聞 : 美光 MRDIMM 正式送樣，可提升頻寬 39%、降低延遲 40%

記憶體大廠美光日前宣佈，其多重存取雙列直插式記憶體模組 （multiplexed rank dual inline memory module, MRDIMM） 開始送樣。MRDIMM 讓美光客戶得以滿足要求日益嚴苛的工作負載，充分發揮運算基礎架構的最大價值。

美光科技表示，針對記憶體需求高達每 DIMM 插槽 128GB 以上的應用，美光 MRDIMM 的效能更勝目前的矽晶穿孔型 (TSV) RDIMM，達到最高頻寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC 和 AI 資料中心等的工作執行。當前開始送樣的記憶體是美光 MRDIMM 系列的第一代產品，可以與 Intel Xeon 6 處理器相容。

MRDIMM 技術採用DDR5 的物理與電氣標準，帶來更先進的記憶體，每核心的頻寬與容量雙雙提升，為未來運算系統做好準備，更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。相較於RDIMM，MRDIMM 具有以下優勢，包括記憶體有效頻寬提升多達 39%、匯流排效率提高15% 以上、並且延遲降低高達 40%。

另外，MRDIMM支援從 32GB 到 256GB 的容量範圍，提供標準尺寸和加高尺寸 （TFF） 兩種規格，適用於 1U 和 2U 高效能伺服器。而 TFF 模組採用先進散熱設計，在相同功率和氣流條件下，DRAM 溫度可降低 20°C 之多，進而提升資料中心的冷卻效率，並優化記憶體密集型工作負載的系統總能耗。

而美光領先業界的記憶體設計使用 32Gb DRAM 晶粒製程技術，只需花費 16Gb 晶粒製程 128GB TFF MRDIMM 的功耗即可享受 256GB TFF MRDIMM 的效能。在最高資料傳輸率下，256GB TFF MRDIMM 的效能較同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。採用 256GB TFF MRDIMM，資料中心可享受前所未有的整體擁有成本 （TCO） 優勢，大勝傳統 TSV RDIMM。

美光副總裁暨運算產品事業群總經理 Praveen Vaidyanathan 表示，美光最新推出的創新主記憶體解決方案 MRDIMM 以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量，有助在下一代伺服器平台上實現大規模 AI 推論和高效能運算 （HPC） 應用。英特爾副總裁暨 Xeon 6 資料中心產品管理總經理 Matt Langman 也表示，MRDIMM 採用 DDR5 介面和技術，能與現有的 Xeon 6 CPU 平台無縫相容，為客戶提供選擇彈性。MRDIMM 為客戶帶來更高頻寬、更低延遲，以及多種容量選擇，適用於 HPC、AI 及其他大量工作負載，這些工作負載一樣都能繼續運行在支援標準 DIMM 的 Xeon 6 CPU 平台上。

美光 MRDIMM 現已上市，並將於 2024 年下半年開始大量出貨。

由 科技新報 轉載