新聞 : HBM 供不應求美光大擴張！廣島新廠 2027年量產，台灣明年加入 HBM 量產廠區

先前日媒報導，記憶體大廠美光計畫於廣島興建 DRAM 新廠，預定 2026 年初動工、最快 2027 年底前完成廠房建設、機台設備安裝並投入營運。

根據業界消息，美光預計斥資 6,000 至 8,000 億日圓建新廠，地點將緊鄰已建成的 Fab15。新廠初期規劃為 DRAM 晶圓廠，未包含後段封裝及測試，產能將著重於 HBM 產品。

美光廣島新廠將首導入極紫外光（EUV）微影設備，生產由台日合作開發的新先進 1-Gamma 製程的 DRAM，後續也將導入 1-Delta 製程，因此 EUV 設備安裝數量將大幅增加，並多加採用調高無塵室。

至於廣島 Fab 15 是 HBM 晶圓量產廠區，負責前段晶圓生產及矽穿孔（TSV）製程，後段堆疊及測試製程由台灣的台中後段廠負責。另有市場消息傳出，隨著 HBM 需求擴張，台灣 OMT（One Mega Taiwan）明年起將加入 HBM 晶圓量產廠區，投入晶圓生產及 TSV 製程。

研調機構 TrendForce 指出，由於 HBM 市場需求蓬勃發展，且生產良率較低、晶粒尺寸較大等因素，相同位元產出的 HBM 相較 DDR5 約需消耗 3 倍投片量，且會排擠傳統 DRAM 產能。

如果美光要加速 HBM 市場滲透，考慮到 2025 年產能已被客戶預訂一空，新廠建設需求勢在必行。同時，美光計畫到 2025 年 HBM 產品線市占率保持在 20％~25％水準，目標提高至與傳統 DRAM 相當。

這次廣島新廠也獲得日本政府補貼，日本經濟產業省去年 10 月宣布將提供美光 1,920 億日圓建廠及設備補貼，另針對生產成本最高補貼 88.7 億日圓、研發成本最高補貼 250 億日圓。

由 科技新報 轉載