新聞 : SK 海力士 HBM4 採用第六代 1c 製程 DRAM

韓國記憶體大廠 SK 海力士今年 IEEE IMW 國際存儲研討會，分享 HBM4E 記憶體開發週期縮短到一年，也介紹更多細節。SK 海力士技術員 Kim Kwi Wook 表示，SK 海力士計劃第六代 10 奈米級 1c 製程 32Gb DRAM 裸片構建 HBM4E 記憶體。

三大記憶體廠商均尚未量產第六代 10 奈米級 1c 製程 DRAM 記憶體顆粒，但三星、SK 海力士首批六代 10 奈米級 1c 製程 DRAM 預定今年量產。美光稍晚，要到 2025 年，新 DRAM 記憶體顆粒有望使密度和能效更改進。

SK 海力士 HBM3E 採第五代 10 奈米級 1b 製程 DRAM，尚未確認 HBM4 是否更新 DRAM 裸片製程。韓媒 The Elec 報導，SK 海力士將 HBM4 量產時間提前到 2025 下半年，沿用第五代 10 奈米級 1b 製程更符合研發節奏。

主流 HBM3E 產品均採 24Gb DRAM 顆粒，HBM3E 記憶體可因八層堆疊達 24GB 單堆疊容量，如果 12 層堆疊，HBM3E 堆疊可達 36GB。將來 HBM4E 更新到 32Gb DRAM 裸片後，12 層堆疊就能達 48GB 單顆容量，16 層版達 64GB 超大規模，為 AI 用例創造更多應用可能場景。

Kim Kwi Wook 預計，HBM4E 記憶體可較 HBM4 頻寬提升 40%、密度提升 30%，同時能效也提高 30%。談到混合鍵合看法，Kim Kwi Wook 認為仍有良率不佳問題，SK 海力士下代 HBM4 採混合鍵合可能性不大。

由 科技新報 轉載