新聞 : 可達上千億美元市場規模，三星 2025 年率先進入 3D DRAM

外媒 Semiconductor Engineering 報導，三星電子於產業會議 Memcon 2024 表示，2025 年後進入 3D DRAM 時代。

DRAM 產業將於 2030 年前將製程壓縮至 10 奈米以下，現有設計方案更難擴展。廠商正在開發 3D DRAM 多種創新型設計，以提高記憶體性能。

三星展示兩項 3D DRAM 技術，包括垂直通道電晶體（Vertical Channel Transistor）和堆疊 DRAM（Stacked DRAM）。相較傳統電晶體結構，垂直通道電晶體將通道從水準變為垂直，大幅減少元件面積，但提升刻蝕精確度要求。

相較 2D DRAM 結構，堆疊 DRAM 可充分利用 Z 軸向空間，較小面積容納更多存儲單元，單晶片容納提升至 100G 以上。3D DRAM 市場發展，有望 2028 年達千億美元規模。為了與其他記憶體製造商競爭，三星年初在美國矽谷設立新 3D DRAM 研發實驗室，以開發先進記憶體。

由 科技新報 轉載