新聞 : 記憶體晶片料漲價+增產 機構看好三星第一季利潤暴增6.5倍

據多家韓媒報導，在半導體業務虧損減少，以及 DRAM、以及 NAND Flash 價格的回升之下，機構對三星電子第一季業績的期待愈來愈高。

根據金融資訊企業 fnguide 透露，多家證券公司預計，三星電子今年第一季的營業利潤預計將達到 47117 億韓元，這是 2023 年第一季營業利潤 (6402 億韓元) 的 7.5 倍。

fnguide 透露，今年三星電子的營業利潤共識為 32.3383 兆韓元，比一個月前上漲了 2345 億韓元。

記憶體晶片業務，料為三星業務成長的關鍵。據報導，三星電子計畫將 NAND Flash 的價格提高 20%。 由於供應過剩，過去一年多這一產品僅以約成本價出售。三星現在決定與大客戶重新談判，以獲得公平的價格，並將最近供需穩定的 NAND Flash 業務的損失降至最低。

韓媒引述業內人士透露，三星電子將於今年 3 月和 4 月與主要行動、PC 和伺服器客戶重新談判價格。 預計推動價格上漲 15% 至 20%。

一位半導體業內人士表示：「三星電子、SK 海力士等主要儲存半導體製造商與客戶之間的第一季價格談判尚未結束。」

去年，NAND flash 市場經歷了最糟糕的時期之一，由於需求疲軟和供應過剩，庫存增加。 去年，三星電子和 SK 海力士的 NAND flash 業務營運虧損分別接近 83 億美元（11 兆韓元）和 60 億美元（8 兆韓元）。

從去年下半年開始，市場供需平衡，三星電子、SK 海力士、美光開始大力減產，導致使用率低於 50%。 從去年第四季開始，此前一直以成本水準銷售的 NAND flash 價格開始緩慢上漲。

根據市場研究公司 TrendForce 的數據，NAND flash 價格已經連續五個月上漲。 1 月 NAND flash 卡 - USB 通用 (128Gb 16Gx8 MLC) 固定交易價格為 4.72 美元，較上季上漲 8.87%。 上個月上漲 3.82% 至 4.90 美元。

市場研究機構 Omdia 對 2024 年三星 DRAM 晶圓產量水準也持樂觀態度。 隨著市場過渡到升級周期，消費者希望更換現有的儲存和記憶體產品，預計產量將年增。 據稱，該公司的目標是到 2024 年第四季晶圓產量達到 200 萬片，比去年的數字成長 41%。 三星現在的目標是透過提高生產水準來挽回損失的利潤，因為該公司預計未來需求將會增加。

除此之外，隨著人工智慧產業需求的增加，三星正在尋求「重塑」其市場策略，將其重點更多地轉向 HBM 生產。 隨著三星贏得 NVIDIA 和 AMD 等巨頭的信任，預計三星將升級現有設施，以滿足人工智慧產品的 HBM 需求。 據悉，三星已經收到了 HBM3e 的訂單，客戶希望將其應用於下一代 AI GPU。

市場預期，HBM 市場領頭羊 SK 海力士不會坐以待斃，向輝達遞交新 12 層堆疊 HBM3e 樣品，以驗證測試。近期三星宣稱發展同類型產品，容量為 36GB 的 12 層堆疊 HBM3e。下代 HBM4 可能要 2026 年才問世，所以在此之前，預計 HBM 市場競爭將會變得更加激烈。.

由 鉅亨網 轉載