新聞 : SK 海力士 3 月份開始量產 HBM3E，領先對手開始供應輝達

根據外媒 Moneytoday的報導，韓國記憶體大廠 SK 海力士於 1 月中旬正式結束了 HBM3E 的開發工作，並且順利完成了輝達 (NVIDIA) 歷時半年的性能評估，計畫於 3 月開始大規模生產五代 HBM3E 高頻寬記憶體產品，並在下一個月針對輝達供應首批產品。

由於半導體產品的開發分為 Phases 1-9 等九個階段，目前 SK 海力士已完成所有階段的開發，並進入最後的增產（ramp-up）階段，這也代表著從現在起生產的所有 HBM3E 都可以交付給輝達。

報導指出，除 SK 海力士外，其競爭對手三星電子和美光也向輝達提供過 HBM3E 樣品，但它們要到 3 月份才會開始最終的產品品質認證測試，以確保產品能夠達到出貨品質要求，而這時間點相較 SK 海力士比至少晚了兩個月的時間。

報導進一步指出，這批 HBM3E 將用於輝達下一代 Blackwell 系列的 AI 晶片旗艦產品 B100上，而輝達則式計畫於 2024 年第二季末或第三季初推出該系列產品。由於輝達已經在 AI GPU 市場中佔有超過 90% 以上市占率。而在記憶體市場，SK 海力士則是有全球 HBM 市場一半以上的市占率，更是 100% 壟斷了 128GB DDR5 這類大容量 DRAM 產品市場。因此， SK 海力士與輝達間的合作，市場看好將推升 AI 晶片的市場發展。

由 科技新報 轉載