新聞 : 調控DRAM、NAND Flash產能 三星拚拉升報價

三星公告最新財報數顯示，2023年第四季的DRAM及NAND Flash位元出貨量，優於先前展望，反映出市場需求改善，三星將繼續選擇性地調整生產特定的DRAM、NAND Flash產能，以期拉升報價。

其中，DRAM因庫存改善，稼動率預計自2024年第四季的70％，恢復至2024年第一季的81％、第二季再回升至89％。

三星電子旗下記憶體晶片事業，將在2024年第一季轉虧為盈，預告記憶體產業將開始復甦。

產業界人士分析，三星的2023年DRAM、NAND Flash第四季位元出貨量，優於先前展望，主要因三星記憶體的價格漲幅小於同業，因而加速庫存去化速度，其中，尤以DRAM改善較顯著。

三星將繼續選擇性地調整生產DRAM、NAND Flash產品，由於第一季屬產業淡季，三星2024年第一季DRAM及NAND Flash位元出貨量，預期皆呈季減，但報價將持續拉升。

由於三星的DRAM庫存已去化至八～十周，預期將在2024年第一季季末恢復正常，而NAND Flash 庫存，將在2024年上半年內恢復正常。

三星預計於2024年上半年開始量產HBM3E 24GB產品，並於下半年開始量產HBM3E 36GB產品，進度有所提前。

三星更新一代的HBM4，目前也正在開發中，預計2025年推出樣品，2026年量產。

就HBM3及HBM3E而言，目前用在AI伺服器的HBM3，仍以SK海力士為獨家供應商，後段封裝良率最為優異，其次為美光。

據業界的了解，HBM3E將於2024年第一季開始量產，由於美光將後段TSV及堆疊外包台積電，已加速了產品量產速度。

由 中時新聞網 轉載