新聞 : 三星取得美國無限期豁免，逐步進行中國西安廠擴產動作

2023年 10 月，韓國三星電子和 SK 海力士等公司獲得美國政府對中國出口管制的無限期豁免，針對其在中國的工廠無需特別許可，即可進口半導體晶片製造設備之後，現在三星電子開始了相關的動作，已進一步提升在中國西安晶圓廠的產能。

根據中國媒體報導，中國三星半導體的 12 吋快閃記憶體晶片 M-FAB 晶圓廠擴建計畫日前進入後主體施工階段。該工廠於 2012 年正式落腳中國西安，是三星唯一的海外記憶體生產基地，其目前已發展成為全球最大的 NAND Flash 快閃記憶體製造基地，每月可生產 20 萬片 12 吋晶圓，這數量達到了三星 NAND Flash 快閃記憶體總產量的 40% 以上，而自 2020 年新規劃第二期晶圓廠興建計畫。

報導表示，三星西安工廠第一期首座晶圓廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造的第一期的第二工廠，在投資了投資 150 億美元。官方指出，在第二期精元廠計畫興建完成並投產後，將成為全球規模最大的 NAND Flash 快閃記憶體生產基地，為中國西安電子資訊產業集群化發展，打造全球知名的電子資訊產業創新聚落建立強有力的基礎。

根據韓國媒體 Business Korea 在不久前的報道表示，三星電子高層已決定將其中國西安的 NAND Flash 快閃記憶體工廠升級到 236 層堆疊製程技術，並進一步開始大規模擴產。因此，有消息人士表示，三星已開始採購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底開始交貨，並於 2024 年在中國西安陸續引進可生產第 8 代 NAND Flash 快閃記憶體的設備，這也被業界視為對抗全球 NAND Flash 快閃記憶體市場需求疲軟導致產能下降的策略之一。

由 科技新報 轉載