新聞 : 美國晶片法案補助條件三星與 SK 海力士受不了，南韓要求重新檢視

根據南韓經濟日報的報導，南韓政府已正式向美國表明，希望能重新檢視美國晶片與科學法案資金補助的附帶條件，以進一步放寬當前已經在美國投資的南韓半導體廠商，未來在中國的擴產限制。

報導指出，南韓政府已經在台北時間 23 日對美國商務部提出正式要求，要美國政府針對晶片與科學法案提供資金補助的附帶條件重新檢視，因為這些條件關係著南韓半導體廠商未來在中國發展的關鍵。南韓政府表示，美國晶片與科學法案資金補助的附帶條件不應給已經在美國進行投資的公司帶來不合理的壓力與負擔。

根據國晶片與科學法案資金補助的附帶條件規定，接受美國政府資金補助的企業，未來 10 年在中國或被關注的國家產線的擴產，先進製程僅准許增加 5%，成熟製程則僅允許增加 10%。對此，南韓政府要求美國對先進製程的產業擴產限制要提高到 10%。

至於，針對先進與成熟半導體製程的區別，美國商務部的定義是邏輯晶片生產製程低於 28 奈米以下、DRAM 製程低於 18 奈米以下、NAND Flash 快閃記憶體高於 128 層堆疊者就屬於先進半導體製程，反之就是成熟半導體製程。而做出這樣的限制，美國的目的就是要限制中國在先進半導體製程上的發展。

報導強調，南韓政府會對美國提出對晶片與科學法案提供資金補助的附帶條件重新審視，是因為目前已經在美國進行投資的南韓三星與 SK 海力士兩大半導體廠商，旗下在中國都有龐大的產線。其中，三星在中國西安有一座 NAND Flash 快閃記憶體工廠，在蘇州也有一座晶片封裝廠。而三星的西安工廠產能，佔該公司全球 NAND Flash 快閃記憶體近 40% 的產能。另外，SK 海力士在無錫有一座 DRAM 工廠，在大連經營一家 NAND Flash 快閃記憶體工廠，在重慶則有一座晶片封裝廠。當中， SK 海力士的無錫工廠，生產該公司全球 48% 的 DRAM。

2022 年 10 月，美國政府公佈了對中國半導體的全面出口管制，同時給予南韓相關企業公司一年的暫緩期，允許期間內升級在中國的產線設施。而鑑於一年寬限期即將結束，三星和 SK 海力士燈已經停止了在中國的新投資，同時等待美國的下一步行動。另外，南韓方面還要求美國在最終確定附帶條件前，除積極考慮其他意見，還希望就相關問題繼續進行雙邊的密切溝通和。根據規定，美國商務部在審查相關各方提交的意見後，計劃在年底前公佈最終規則。

由 科技新報 轉載