新聞 : 記憶體減產難遏需求急凍　大廠競局再掀波瀾

2022年全球消費市場陷入愁雲慘澹，週期循環快速的記憶體產業首當其衝，市場價格快速進入下跌走勢，需求下修導致庫存升高的壓力從終端市場擴散至上游原廠，各家記憶體大廠不得不相繼宣布減產或降低資本支出，面對市況持續低迷，美光（Micron）更釋出2023年盈利受挑戰的警訊。

上游晶圓減產將影響未來6個月供給產出，而資本支出調降將牽動未來9~12個月的新增產能，雖然減產將有助於減緩塞貨問題，供給減少的效應仍要到2023年上半逐漸顯現。如今戰爭、通膨等宏觀經濟逆風變數難料，需求持續低迷不振將是最大挑戰，恐將加速全球記憶體產業大者愈大的競爭局勢。

原廠減產求生 三星趁亂大展身手

受到記憶體面臨上、下游需求旺季不旺，產業寒冬籠罩，美光、SK海力士（SK Hynix）、鎧俠（Kioxia）等業者決定從2022年第4季起勒緊褲帶，展開減產大作戰。

儘管外界認為削減供應和資本支出，將有利於記憶體產業調整加速落底，但龍頭大廠三星電子（Samsung Electronics）的態度卻曖昧不明，屢次強調不考慮「人為減產」。

隨著2022年第4季DRAM與NAND Flash價格跌幅擴大至2成多，除三星以外的記憶體業者，為避免價格暴跌引發連環倒閉惡夢再起，求生策略多半採取謹慎賣、不隨便倒貨，以免賣愈多虧愈多。

對於三星的老神在在，有一派人士認為，三星2023年上半DRAM與NAND將維持產能滿載，抓緊危機壯大聲勢，拖延其他對手的成長步調，拉大產業競爭差距。

但另有業者認為，市場價格已跌至谷底，即使是三星也難逃虧損衝擊，加上手機、電視品牌銷售不佳，集團欠缺獲利金雞母的支持，認為三星要堅持不減產的難度增加，現金流恐怕難以負擔進一步降價攻勢。

雖三星持續蟬聯DRAM與NAND龍頭多年，但近年來技術升級卡關，遭到美光迎頭趕上，2023年將可能成為三星翻轉局勢的大好時機。趕在2022年底前，三星宣布採用EUV設備的DRAM突破至12奈米級製程，並計劃從2023年起開始量產。

美光1β製程DRAM在2022年底於日本廣島廠量產，估計能領先對手的時間約莫2個季度，原本業界預期美光將於2023年初在台灣廠區導入1β奈米製程，但降低資本支出及保留現金的綜合考量，美光不僅在台灣導入1β奈米量產的時程放緩，原定在2024年推進EUV設備量產的1γ奈米DRAM也將推遲至2025年。

在NAND部分，三星目前仍以100+層第六代V-NAND為主力，但176層第七代V-NAND已開始轉換，並啟動超過200層的第八代V-NAND進入小量生產。

儘管V8產品應在2023年才會有較大出貨成長，但美光232層NAND從2022年下半逐步量產，就遭到資本支出縮減影響進度推遲，將導致兩大記憶體廠的技術落差大幅縮短，而三星NAND位元產出仍在不斷增加。

市場認為，在撙節支出下，美光176層NAND維持在主流製程的時間可能將延長至2023年，首次採用EUV設備的關鍵製程1γ奈米DRAM更延後長達1年，加上量產初期的良率爬坡期，美光恐難延續技術霸主的地位。

因應市場價格慘跌，美光繼2022年9月底宣布縮減資本支出後，11月再宣布正同步減產DRAM與NAND投片約2成，減產幅度將達到20%。

美光2022年底進一步調降2023財年資本支出至70億~75億美元，較原定投資額度大幅減少近40%，甚至2024年度也將持續減少資本支出。

儘管美光2022年下半曾預期，記憶體庫存調節可望於2023年初改善，整體需求將於2023年第2季開始反彈，但到了年底，執行長Sanjay Mehrotra表明，晶片業正在歷經13年來最嚴重的供需失衡，預測客戶庫存水準會在2023年底才降到較健康的水準。

由於對2023年抱持謹慎，估計整體DRAM的位元供給將從原先預期增加5%轉為負值，而NAND增幅從28%大幅收斂至低個位數幅度。

此外，SK海力士也決定大減資本支出約5成，面臨庫存逐季拉升，2022年第3季淨利已年減及季減達6成以上，致使SK海力士對獲利較差的產品進行減產。預料SK海力士也將陷入虧損困境，成為過去10年首次出現第4季虧損，減產動作至少將延續至2023年上半。

長江存儲升級夢碎 地緣政治牽動記憶體變局

相比於DRAM僅剩三雄並立，NAND競爭局勢更為激烈，鎧俠面臨進退兩難的處境，其主力製程112層NAND已不具競爭力，甚至傳出第4季賠到現金流出，IPO上市計畫再度被迫延遲。而策略聯盟夥伴的威騰（WD）也有意放緩2023年資本支出，對於亟需資金擴產及技術升級的鎧俠無疑是蠟燭兩頭燒。

然半導體生產在地化風潮正興，鎧俠成為日本半導體最後一道防線，日本政府無法見死不救，更不能拱手讓出給國外競爭對手。四日市晶圓廠 Fab7於2022年10月完工，第一期總投資高達1兆日圓 （約新台幣2,220億元），目前部分投資金額確定將由政府補貼資助。

預計鎧俠2023年上半獲得資金後，將朝向162層NAND升級，若順利進展，可能在2024年跳過192層，直接升級到200層以上。

2022年10月初美國商務部祭出出口管制新規，要求設備供應商向中國業者出貨16/14奈米（含）以下FinFET製程邏輯晶片設備，及18奈米（含）以下DRAM與128層（含）NAND或更高層數相關設備之前，必須取得商務部許可執照。

在2個月後，長江存儲被列入美國實體清單（Entity List），中斷了中國半導體超車國際大廠的發展大夢，也卡住長江存儲搶先量產232層NAND的升級道路。

雖然長江存儲2023年將以持續增加投片規模為目標，但在地緣政治排擠效應下，客戶勢必逐漸限縮於中國本土內需市場，對於全球NAND影響力大幅降低，並有助壓低整體NAND產業供應位元成長率，避免供給過剩繼續惡化。

除中國記憶體廠商遭到鎖喉，韓系廠商在中國投資規模最大，三星在西安的3D NAND存儲生產基地是主力，約佔三星NAND總產能達40%，而SK海力士無錫廠約佔50%的DRAM產能。

以三星為首的韓廠勢，必須尋求在美國及中國的投資能取得平衡，雖然韓廠取得1年豁免待遇，但未來的豁免待遇得逐年申請授權，這也意味著韓廠將承擔相當的義務與風險。長期而言，在中國產能及市場拓展受阻風險升高，可能削弱韓廠長期市佔率。

無論是DRAM或NAND產業在，2022年都遭遇景氣週期衰退的嚴峻考驗，現貨價雖然在2022年第4季收斂跌幅，然2023年景氣春燕報到的變數頻添。

首要觀察指標仍在於出貨量回升時間，隨著拉貨需求持續改善，市場價格才有望從底部復甦，龍頭大廠三星擅於「危機入市」壓制對手，口袋不夠深的競爭同業恐怕在2023年依然處於元氣大傷。

由 DIGITIMES 轉載