新聞 : 美國才宣布制裁，長江存儲隨即量產 232 層堆疊 3D NAND Flash

就在之前美國限制生產 128 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體的設備與技術強往中國之際，現在有相關消息指出，中國長江存儲在 2022 年閃存峰會 （FMS） 上正式發佈採用 Xtacking 3.0 架構，達到 232 層堆疊的第四代 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體已經正式量產，名為 X3-9070。號稱相較上一代產品，X3-9070 擁有更高的儲存密度，以及更快的 I/O 速度。

根據 Tech Insights 的報導，長江存儲的 X3-9070 除了用於 TiPlus7100 系列 SSD 固態硬碟之外，還被用在海康威視的 CC700 2TB SSD上，這是市場上首個進入零售市場超過 200 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體解決方案，領先於三星、美光、SK海力士等外國記憶體廠商。

報導引用長江存儲的介紹指出，X3-9070 的 I/O 傳輸速率達到了 2400 MT/s，符合 ONFI 5.0 規範，相較上一代產品提高了 50% 的性能。另外，受惠於 Xtacking 3.0 架構，X3-9070 成為了長江存儲有史以來儲存密度最高的快閃記憶體，能夠在更小的單顆晶片中，達到 1Tb（128GB） 的儲存容量。而且採用 6-plane 設計，相較一般的 4-plane 性能提升 50% 以上，同時功耗降低 25%，使得能效比提高，成本也降低。

事實上，包括美光、SK 海力士和三星都在 2022 年先後推出了超過 200 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體解決方案。其中，最早的是美光，在 5 月就宣佈推出業界首款 232 層的 3D TLC NAND Flash 快閃記憶體，並準備在 2022 年末開始生產。其採用了 CuA 架構，使用 NAND 的字串堆疊技術，初始容量為 1Tb（128GB）。緊接著 8 月份，南韓記憶體大廠 SK 海力士也宣佈已成功研發全球首款業界最高堆疊層數的 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，並已經針對合作夥伴送樣。至於三星，則是在 11 月份宣佈開始量產採用第 8 代 V-NAND 技術的產品，其 1Tb（128GB）TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體，堆疊層數達到了 236 層。

由 科技新報 轉載