新聞 : 三星續稱霸 DRAM，市占逾四成連三季擴大；美光縮

南韓三星電子持續稱霸 DRAM 市場，4~6 月期間橫掃逾四成市占，市占率連三季擴大，美國美光（Micron）市占則陷入萎縮。

韓媒中央日報日文版17日報導，市場調查機構Omdia 16日資料顯示，4~6月期間三星電子於DRAM市場拿下高達43.4%市占率，持續穩居龍頭位置，且市占率連續第三季呈現擴大。

2021年10~12月時三星市占率擴大至41.9%、2022年1~3月擴大至42.7%、4~6月再擴大至43.4%。

4~6月SK海力士（SK Hynix）以28.1%市占率居第二，較前一季（1~3月）27.1%揚升1個百分點；美光市占率23.6%居第三，市占率較前一季24.8%下滑1.2個百分點。

NAND型快閃記憶體（Flash Memory）部分，4~6月三星以33.3%市占率穩居首位，不過較前一季35.5%萎縮2.2個百分點；SK海力士（含子公司Solidigm）市占率20.4%位居第二，其次為日本鎧俠（Kioxia）16.0%，美國威騰電子（Western Digital）、美光市占率各為13.0%。

DRAM、NAND Flash等記憶體市場受全球景氣低迷影響，導致需求萎縮、價格下滑，不過三星基於「積極投資、克服危機」想法，積極投資記憶體領域，5日宣布2023年量產第五代10奈米級DRAM、2024年量產第九代V-NAND。

十年最大規模，鎧俠NAND Flash減產三成

鎧俠9月30日宣布，生產NAND Flash的四日市工廠（三重縣四日市市）和北上工廠（岩手縣北上市）將調整產能，10月起減產三成（晶圓投入量縮減三成）。鎧俠重申，中長期看NAND Flash市場成長可期，今後仍積極研發投資、新產品研發，實現穩健且持續成長。

日媒報導，因市況惡化，迫使鎧俠大規模減產NAND Flash，鎧俠此次的減產規模將是十年來（東芝時代2012年減產）最大。因智慧手機、PC出貨急減，也讓市場、客戶端NAND Flash、DRAM等記憶體庫存膨脹，市況急速惡化。市場關係人士指出，最近三個月還出現報價大砍三成以上案例。台灣調查公司TrendForce指出，Q4 DRAM價格預估季減13%~18%、NAND Flash價格也季減15%~20%。

由 科技新報 轉載