新聞 : 三星 14 奈米 NAND 傳 2016 上半年量產

誰說 14 奈米的快閃記憶體不可行？
南韓兩家記憶體廠前仆後繼挑戰這項不可能的任務有成，
其中三星已經準備好轉入量產，而 SK 海力士預計 2016 年也將突破瓶頸。

南韓媒體 ETnews 引述業內消息報導指出，
三星預計 2016 年上半年開始量產 14 奈米 NAND 快閃記憶體，
且 1 月底在舊金山舉行的國際固態電路論壇（ISSCC）上就有成品可先行展出。

與 16 奈米相比，14 奈米浮動閘極（floating gate）面積減少 12.5%，
這意謂著每片晶圓的記憶體晶片產出將增加，
而平均生產成本則降低，使得產品更具價格競爭力。

除了三星之外，海力士從年初時也下決心著手開發 14 奈米技術，
研發工作預估將在明年上半年完成，年末應可順利進入量產。

快閃記憶體是將電子包入浮動閘極，藉以此永久儲存資訊。
業界原認為 15~16 奈米是記憶體維縮極限的原因在於，
浮動閘極面積會隨維縮製程縮小，面積太小則將導致電子儲存空間不足。
不過，三星似乎已想到方法克服這項障礙。

由 TechNews科技新報 轉載