新聞 : DRAM 將掀「1x nm」大戰！三星搶 Q1 量產

日本總和情報網站 Gadget 速報 30 日轉述南韓科技媒體 ETNews 的報導指出，
三星電子預估將在明年 Q1（2016 年 1-3 月）開始量產 1x-nano（18nm）DRAM 產品，
且預估最遲也會在 Q2 量產。

報導指出，三星開始量產 18nm DRAM 之後，有望藉此降低製造成本、提高獲利，
而三星競爭對手南韓 SK Hynix 和美國美光（Micron）也預估
將跟隨三星腳步於 2016 年內量產 1x nm 等級的 DRAM 產品，
也宣布 DRAM 將進入「1x nm」大戰。

報導並指出，目前 DRAM 價格持續下滑，且此種情勢在明年也將持續上演，
根據市場研究機構 TrendForce 旗下內存儲存事業處 DRAMeXchange 指出，
2015 年 11 月 4GB DDR3 DRAM 合約價為 1.27 美元，較今年 1 月時的價格相比驟減了 49.1%。

據報導，三星在 2014 年搶得頭香，領先同業率先量產 20nm DRAM 產品，
而在 1X nm 領域上，三星也有望拔得頭籌。

由 TechNews科技新報 轉載