新聞 : 記憶體廠看後市：NAND 比 DRAM 更緊，Q3 入旺季

記憶體市況在諸多不利因素遠離，又加上鎧俠與威騰污染事件影響市場短期供需失衡，整體記憶體市況將於第二季起邁向正向循環，記憶體大廠也陸續釋出對後市看法，整體產業落底趨勢確立，尤其 NAND Flash 供需更緊，兩大記憶體報價反轉向上，第三季則進入傳統旺季，延續動能。

威剛：NAND 3 至 5 月最吃緊
威剛董事長陳立白指出，鎧俠與威騰的工廠產線受污染事件後，讓記憶體空頭已提前結束。以生產時序推估，NAND Flash供貨將會在3月至5月最為吃緊，在市場預期心理帶動下，2月下旬的NAND Flash現貨價已明顯走揚。隨著現貨價站穩腳步，預估兩大記憶體合約價也將在本季落底，第二季開始回溫，穩步向上發展。
DRAM部分，半導體供應鏈長短料問題正逐步紓解，加上DRAM現貨價自去年12月開始止跌回升，已維持近一個季度的穩健走勢，客戶對DRAM備貨也轉為積極正面。

宇瞻：DRAM 漲勢蠢動，NAND Q2 大幅供不應求
宇瞻認為，DRAM上漲力道已在蠢動，主要來自智慧型手機、消費電子和伺服器以及PC，但因DRAM不是短料，在長短料的不平衡下，記憶體常常是最後一秒才拉貨，客戶動態變化很大，目前長短料狀況改善中，估下半年短料轉順暢，需求會浮現，尤其組裝系統的買家通常會在最後才採購記憶體，但價格微幅上升時客人就會回頭採買。
至於在NAND Flash部分，因污染事件第二季後將轉為大幅供不應求，直接的缺貨發生在4~5月，Flash會很快價格上漲，第三季迎季節性旺季來臨，第四季才會緩跌。

群聯：NAND Q2 供不應求，加強備庫存
群聯認為，鎧俠／威騰污染事件，影響NAND Flash生產時程約4~5個月（Wafer in到封裝測試完成），原廠已於3月3日公告全線恢復產能，期間共計約6星期，未污染的產品預計3月進入市場，惟因產線停工約6星期，4月應就會影響供給輸出，屆時將出現供給缺口，影響時間點落在4~6月，預期第二季將有供不應求的狀況，而群聯於去年第四季到今年第一季持續積極備庫存，預計在5月底到6月初可供應客戶需求。

由 科技新報 轉載